Документация
Биполярный транзистор IGBT, N-канальный, 1.7 кВ, 80 А
У поставщика
ПроизводительSemikron
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
18 шт.
Норм. уп.: 8
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:18 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 8
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 6 233,52 |
| от 2 | 5 979,43 |
| от 3 | 5 772,47 |
| от 4 | 5 618,85 |
| от 5 | 5 504,58 |
Описание
Биполярный транзистор IGBT от Semikron выполнен в корпусе SEMITRANS® 2 (Case D61). Модуль рассчитан на напряжение 1,7 кВ и ток до 80 А. Подходит для мощных преобразователей частоты и промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Тип | IGBT Module |
| Корпус | SEMITRANS 2 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Технология | Trench IGBT |
| Артикул | SKM75GB176D |
| V ge th typ | 5.8V |
| Voltage ces | 1700V |
| V ce sat typ | 2.8V |
| Конфигурация | N-channel |
| Pulse current | 150A |
| Ток коллектора | 75A |
| Тип упаковки | Paper Box |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Описание (англ.) | IGBT Module N-CH 1.7KV 80A 7-Pin Case D-61 |
| Напряжение, В | 1700 |
| Ток, А | 75 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?