+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
SKM75GB12T4
Документация

Биполярный транзистор IGBT, 580 Вт

Артикул:805036
У поставщика
ПроизводительSemikron
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
29 шт.
Норм. уп.: 8
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:29 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 8
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 14 968,47
от 24 762,67
от 34 595,04
от 44 470,61
от 54 378,06
Описание

Биполярный транзистор IGBT от Semikron рассчитан на напряжение до 1,2 кВ и ток 115 А. Модуль выполнен в корпусе GB с рассеиваемой мощностью 580 Вт. Подходит для мощных преобразователей частоты и промышленной автоматики.

Технические характеристики
Qg425nC
Tf66ns
Tr39ns
Eon11mJ
Err4.7mJ
Lce30nH
Заряд обратного восстановления12.6µC
Tsc10µs
Vcc800V
Cies4.4nF
Coes0.29nF
Cres0.24nF
Eoff6.9mJ
Icrm225A
Ifrm150A
Ifsm430A
Irrm37A
Tstg-40...125°C
Vces1200V
Vges-20...20V
Td(вкл)150ns
Visol4000V
Ic 25c115A
Ic 80c88A
Ic nom75A
If 25c97A
If 80c73A
If nom75A
Rf 25c12mΩ
Rg int10Ω
Rth cs0.04K/W
СерияSKM75GB12T4
Макс. ТК125°C
Td(выкл)370ns
Макс. Tj175°C
Tj мин.-40°C
Vf 25c2.17V
Vge th5...6.5V
Вес160g
КорпусSEMITRANS 2
Rce 25c14mΩ
Rf 150c16mΩ
Vf0 25c1.30V
Vf 150c2.11V
Ices 25c1mA
Тип монтажаВыводной
Rce 150c21mΩ
Vce0 25c0.80V
Vf0 150c0.90V
Torque ms3...5Nm
Torque mt2.5...5Nm
Vce0 150c0.70V
Rcc ee 25c0.65mΩ
ТехнологияIGBT4 fast trench IGBT, CAL4 soft switching diode
ОписаниеIGBT Module, 1200V, 75A, SEMITRANS 2
АртикулSKM75GB12T4
Rcc ee 125c1.09mΩ
Rth jc igbt0.38K/W
Vce sat 25c1.85V
ПроизводительSEMIKRON
Rth jc diode0.58K/W
Vce sat 150c2.28V
UL признанE63532
Top recommended-40...150°C
Рассеиваемая мощность580W
Макс. частота переключения20kHz
Тип упаковкиPaper Box
Описание (англ.)IGBT Module N-CH 1.2KV 115A 7-Pin Case GB
Напряжение, В1200
Ток, А75

Заметили ошибку в описании или параметрах?