Документация
Биполярный транзистор IGBT, 840 Вт
У поставщика
ПроизводительSemikron
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
17 шт.
Норм. уп.: 8
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:17 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 8
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 4 569,59 |
| от 2 | 4 375,90 |
| от 3 | 4 218,13 |
| от 4 | 4 101,02 |
| от 6 | 4 013,90 |
Описание
Биполярный транзистор IGBT от Semikron. Модуль рассчитан на напряжение до 1,2 кВ и ток 81 А, рассеиваемая мощность — 840 Вт. Выполнен в корпусе GB. Применяется в промышленной автоматике и силовых преобразователях.
Технические характеристики
| Мощность, Вт | 840 |
| Вес | 160g |
| Ток, А | 270 |
| Корпус | SEMITRANS 2 |
| Напряжение, В | 4000 |
| Особенности | IGBT4 4th generation fast trench IGBT, CAL4 soft switching 4th generation CAL diode, Isolated copper baseplate using DBC technology, Increased power cycling capability, Integrated gate resistor, UL recognized file no. E63532 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Частота | Макс. частота переключения: 20kHz |
| Механические | Момент затяжки: 3-5Nm; Terminal torque: 2.5-5Nm |
| Сопротивление | R gint: 4.0Ohm; R ce 25: 21mOhm; R th cs: 0.05K/W; R ce 150: 30mOhm; R cc ee 25: 0.65mOhm; R cc ee 125: 1mOhm; R th jc igbt: 0.53K/W; R th jc diode: 0.84K/W |
| Ёмкость | Cies: 2.77nF; Coes: 0.20nF; Cres: 0.16nF |
| Описание | Fast IGBT4 Modules, SEMITRANS 2 |
| Gate charge | 280nC |
| Артикул | SKM50GB12T4 |
| Применение | AC inverter drives, UPS, Electronic welders at fsw up to 20kHz |
| Switching times | Tf: 75ns; Tr: 29ns; Td(вкл): 98ns; Td(выкл): 325ns |
| Темп. диапазон | Tj: -40...175°C; Top: -40...150°C; Tstg: -40...125°C; Макс. ТК: 125°C |
| Switching energies | Eon: 5.5mJ; Err: 3.8mJ; Eoff: 4.5mJ |
| Diode reverse recovery | Заряд обратного восстановления: 8.7µC; Irrm: 35A |
| Тепл. хар-ки | R th cs: 0.05K/W; R th jc igbt: 0.53K/W; R th jc diode: 0.84K/W |
| Тип упаковки | Paper Box |
| Описание (англ.) | IGBT Module N-CH 1.2KV 81A 7-Pin Case GB |
Заметили ошибку в описании или параметрах?