+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
Документация

Биполярный транзистор, N-канальный, 1.2 кВ, 422 А

Артикул:922625
У поставщика
ПроизводительSemikron
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
30 шт.
Норм. уп.: 12
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:30 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 12
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 111 082,99
от 210 892,62
от 310 783,31
от 410 715,80
от 510 661,10
Описание

Биполярный транзистор Semikron SKM300GAL12T4 — мощный IGBT-модуль N-канального типа. Рассчитан на напряжение 1,2 кВ и ток до 422 А, выпускается в корпусе SEMITRANS® 3 Case A-13. Применяется в промышленной автоматике и силовых преобразователях.

Технические характеристики
Tf90 ns
Tr44 ns
Q g1700 nC
E on27 mJ
L ce15..20 nH
C ies17.6 nF
C oes1.16 nF
C res0.94 nF
E off29 mJ
I crm900A
I frm900A
Ток I_FSM1548A
T psc10µs
Td(вкл)200 ns
V ces1200V
V ges-20..20V
I cnom300A
I fnom300A
I trms500A
Макс. ТК150°C
Tc min-40°C
Td(выкл)450 ns
Макс. Tj175°C
Tj мин.-40°C
V isol4000V
Вес325 g
КорпусSEMITRANS® 3 Case A-13
R g int2.5 Ω
V ge th5..6.5V
I c tc25422A
I c tc80324A
I f tc25353A
I f tc80264A
Тип монтажаВыводной
R ce tj253.5..4.0 mΩ
Diode e rr23 mJ
Diode q rr54 µC
I ces tj250.1..0.3 mA
R ce tj1505.2..5.5 mΩ
ТехнологияDBC (Direct Copper Bonding)
V ce0 tj250.8..0.9V
Diode i rrm345A
R cc ee 25c0.25 mΩ
R th cs mod0.02..0.038 K/W
V ce0 tj1500.7..0.8V
R cc ee 125c0.5 mΩ
R th jc igbt0.11 K/W
R th jc diode0.17 K/W
V ce sat tj251.85..2.1V
Diode r f tj252.9..3.3 mΩ
Diode v f tj252.17..2.49V
V ce sat tj1502.25..2.45V
Diode r f tj1504.0..4.4 mΩ
Diode v f0 tj251.3..1.5V
Diode v f tj1502.11..2.42V
Mounting screwsM6
Torque heatsink3..5 Nm
Diode v f0 tj1500.9..1.1V
Torque terminals2.5..5 Nm
Тип упаковкиPaper Box
Описание (англ.)IGBT Module N-CH 1200V 422A 5-Pin Case GAL

Заметили ошибку в описании или параметрах?