Документация
Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 232А
У поставщика
ПроизводительSemikron
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
17 шт.
Норм. уп.: 12
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:17 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 12
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 9 449,64 |
| от 2 | 9 079,73 |
| от 3 | 8 778,44 |
| от 4 | 8 554,80 |
| от 5 | 8 388,47 |
Описание
Силовой IGBT-модуль от Semikron в корпусе SEMITRANS® 3. Рассчитан на напряжение 1200 В и ток до 232 А. Подходит для мощных преобразователей частоты и промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Серия | SEMITRANS 3 |
| Вес | 300g |
| Корпус | SEMITRANS® 3 Case A-13 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Размеры | 108mm x 62mm x 30mm |
| Технология | IGBT4 |
| Описание | IGBT Module N-channel 1200V 232A |
| Артикул | SKM150GB12T4G |
| Вх. емкость | 9.5nF |
| Напр. изоляции | 2500V |
| Рассеиваемая мощность | 1250W |
| Полный заряд затвора | 1.2µC |
| Темп. хранения | -40°C to 125°C |
| Частота перекл. | 20kHz |
| Gate emitter voltage | ±20V |
| Темп. перехода | 175°C |
| Diode forward current | 232A |
| Напр. диода | 1.7V |
| Gate threshold voltage | 5.5V |
| Тип упаковки | Paper Box |
| Internal gate resistance | 1.5Ω |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 1200V |
| Diode reverse recovery time | 150ns |
| Continuous collector current | 232A |
| Обратная проходная емкость | 0.6nF |
| Short circuit withstand time | 10µs |
| Описание (англ.) | IGBT Module N=-CH 1200V 232A 7-Pin Case GB |
| Diode reverse recovery charge | 1.5µC |
| Thermal resistance case heatsink | 0.05K/W |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 0.15K/W |
| Repetitive peak collector current | 450A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.85V |
| Напряжение, В | 1200 |
| Ток, А | 150 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?