Документация
Биполярный транзистор IGBT SKM150GB12T4
У поставщика
ПроизводительSemikron
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
304 шт.
Норм. уп.: 8
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:304 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 8
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 6 125,60 |
| от 2 | 5 927,28 |
| от 4 | 5 794,62 |
| от 8 | 5 677,92 |
| от 16 | 5 599,01 |
Описание
Биполярный транзистор IGBT SKM150GB12T4 от Semikron выполнен в стандартном корпусе SEMITRANS® 2 Case A-12. Модуль рассчитан на напряжение 1200 В и ток до 232 А. Подходит для применения в мощных преобразователях частоты и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Qg | 850nC |
| Tf | 72ns |
| Tr | 42ns |
| Eon | 19.2mJ |
| Err | 13mJ |
| Lce | 30nH |
| Заряд обратного восстановления | 31.3µC |
| Cies | 9.3nF |
| Coes | 0.58nF |
| Cres | 0.51nF |
| Eoff | 15.8mJ |
| Irrm | 120A |
| Td(вкл) | 180ns |
| Rf 25c | 5.6mΩ |
| Rg int | 5.0Ω |
| Rth cs | 0.04K/W |
| Td(выкл) | 410ns |
| Vf 25c | 2.14V |
| Вес | 160g |
| Корпус | SEMITRANS 2 |
| Rce 25c | 6.67mΩ |
| Rf 150c | 7.8mΩ |
| Ul file | E63532 |
| Vf0 25c | 1.3V |
| Vf 150c | 2.07V |
| Ices 25c | 2.0mA |
| Igbt vcc | 800V |
| Тип монтажа | Выводной |
| Rce 150c | 10.00mΩ |
| Vce0 25c | 0.8V |
| Vf0 150c | 0.9V |
| Igbt icrm | 450A |
| Igbt tpsc | 10µs |
| Igbt vces | 1200V |
| Igbt vges | -20...20V |
| Vce0 150c | 0.7V |
| Diode ifrm | 450A |
| Rcc ee 25c | 0.65mΩ |
| Rf 25c max | 6.4mΩ |
| Rth cs max | 0.05K/W |
| Vf 25c max | 2.46V |
| Vge th max | 6.5V |
| Vge th min | 5V |
| Vge th typ | 5.8V |
| Описание | Fast IGBT4 Module with inverse CAL4 diode, SEMITRANS 2 package |
| Diode ifs m | 900A |
| Igbt ic 25c | 232A |
| Igbt ic 80c | 179A |
| Igbt ic nom | 150A |
| Igbt tj max | 175°C |
| Igbt tj min | -40°C |
| Артикул | SKM150GB12T4 |
| Rcc ee 125c | 1mΩ |
| Rce 25c max | 7.67mΩ |
| Rf 150c max | 8.5mΩ |
| Rth jc igbt | 0.19K/W |
| Vce sat 25c | 1.80V |
| Vf0 25c max | 1.5V |
| Vf 150c max | 2.38V |
| Diode if 25c | 189A |
| Diode if 80c | 141A |
| Diode if nom | 150A |
| Diode it rms | 200A |
| Diode tj max | 175°C |
| Diode tj min | -40°C |
| Rce 150c max | 10.67mΩ |
| Rth jc diode | 0.31K/W |
| Температура хранения | -40...125°C |
| Vce0 25c max | 0.9V |
| Vce sat 150c | 2.20V |
| Vf0 150c max | 1.1V |
| Макс. температура корпуса | 125°C |
| Vce0 150c max | 0.8V |
| Operating temp | -40...150°C |
| Vce sat 25c max | 2.05V |
| Vce sat 150c max | 2.40V |
| Напр. изоляции | 4000V |
| Mounting screw heatsink | M6 3-5 Nm |
| Mounting screw terminal | M5 2.5-5 Nm |
| Макс. частота переключения | 20kHz |
| Тип упаковки | Paper Box |
| Описание (англ.) | IGBT Module N-CH 1200V 232A 7-Pin Case GB |
| Напряжение, В | 1200 |
| Ток, А | 150 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?