Документация
Силовой модуль SKM100GB176D
У поставщика
У поставщиков
54 шт.
Норм. уп.: 8
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:54 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 8
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 5 242,48 |
| от 2 | 5 052,55 |
| от 3 | 4 901,79 |
| от 4 | 4 769,19 |
| от 8 | 4 679,52 |
Описание
Силовой модуль SKM100GB176D от Semikron выполнен по технологии IGBT. Рассчитан на напряжение 1700 В и ток 100 А, что обеспечивает высокую коммутационную способность. Применяется в промышленной автоматике, частотных преобразователях и мощных источниках питания.
Технические характеристики
| Qg | 600nC |
| Tf | 100ns |
| Tr | 100ns |
| Vf | 1.8V |
| Eon | 10mJ |
| Err | 5mJ |
| Ifm | 100A |
| Заряд обратного восстановления | 1.5µC |
| Тип | Силовое |
| TRR | 100ns |
| Cies | 6.5nF |
| Coes | 0.6nF |
| Cres | 0.4nF |
| Eoff | 12mJ |
| Icrm | 300A |
| Ifrm | 300A |
| Ifsm | 300A |
| Irrm | 100A |
| Ptot | 500W |
| Tstg | -40 to 125°C |
| Vces | 1760V |
| Vges | ±20V |
| Td(вкл) | 150ns |
| Vgbes | ±20V |
| Visol | 2500V |
| Rth cs | 0.05K/W |
| Rth jc | 0.25K/W |
| Td(выкл) | 400ns |
| Макс. Tj | 150°C |
| Vc ies | 1760V |
| Макс. прямое напряжение | 2.1V |
| Vf typ | 1.8V |
| Vge th | 5.8V |
| Корпус | SEMITRANS 2 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.8V |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 100ns |
| Время нарастания | 100ns |
| Ic nominal | 100A |
| Vge th max | 6.5V |
| Vge th min | 5.0V |
| Описание | Trench IGBT Module, SEMITRANS 2 |
| Тип модуля | Trench IGBT Module |
| Артикул | SKM100GB176D |
| Макс. напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.1V |
| Vce sat typ | 1.8V |
| Конфигурация | GB (IGBT + inverse diode) |
| Module series | SEMITRANS 2 |
| Vf conditions | IF=100A |
| Module package | SEMITRANS 2 |
| Turn on energy | 10mJ |
| Прямое напряжение | 1.8V |
| Module features | Trench IGBT, inverse diode, high short circuit capability, low saturation voltage, positive temperature coefficient |
| Module mounting | THT |
| Обратный ток | 100A |
| Turn off energy | 12mJ |
| Vges continuous | ±20V |
| Вх. емкость | 6.5nF |
| Напр. изоляции | 2500V |
| Рассеиваемая мощность | 500W |
| Полный заряд затвора | 600nC |
| Module part number | SKM100GB176D |
| Выходная емкость | 0.6nF |
| Время задержки включения | 150ns |
| Vce sat conditions | IC=100A, VGE=15V |
| Макс. прямое напряжение | 2.1V |
| Типовое прямое напряжение | 1.8V |
| Module applications | AC inverter drives, UPS, electronic welders |
| Module manufacturer | Semikron |
| Темп. хранения | -40 to 125°C |
| Время задержки выключения | 400ns |
| Gate emitter voltage | ±20V |
| Темп. перехода | 150°C |
| Module configuration | GB |
| Раб. температура | -40 to 150°C |
| Время обратного восстановления | 100ns |
| Напряжение теста изоляции | 2500V |
| Заряд обратного восстановления | 1.5µC |
| Reverse recovery energy | 5mJ |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 1760V |
| Диап. темп. хр. | -40 to 125°C |
| Диап. раб. темп. | -40 to 150°C |
| Continuous collector current | 100A |
| Обратная проходная емкость | 0.4nF |
| Module insulation test voltage | 2500V |
| Тепл. сопр. корпус-рад. | 0.05K/W |
| Repetitive peak collector current | 300A |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 0.25K/W |
| Thermal resistance case to sink igbt | 0.05K/W |
| Thermal resistance case to sink diode | 0.05K/W |
| Thermal resistance junction to case igbt | 0.25K/W |
| Thermal resistance junction to case diode | 0.25K/W |
| Напряжение, В | 1700 |
| Ток, А | 100 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?