Документация
Биполярный транзистор IGBT SKM100GB12T4G
У поставщика
ПроизводительSemikron
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
7 шт.
Норм. уп.: 12
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:7 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 12
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 5 443,54 |
| от 2 | 5 216,85 |
| от 3 | 5 032,22 |
| от 4 | 4 895,16 |
| от 5 | 4 793,21 |
Описание
Биполярный транзистор IGBT от Semikron в модульном исполнении. Рассчитан на напряжение 1200 В и ток до 160 А, корпус SEMITRANS® 3 Case A-13. Подходит для мощных преобразователей частоты и промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Qg | 560nC |
| Tf | 78ns |
| Tr | 37ns |
| Eon | 16.1mJ |
| Err | 6mJ |
| Lce | 15nH |
| Заряд обратного восстановления | 17µC |
| Tsc | 10µs |
| Cies | 5.54nF |
| Coes | 0.41nF |
| Cres | 0.32nF |
| Eoff | 8.6mJ |
| Icrm | 300A |
| Ifrm | 300A |
| Ifsm | 486A |
| Irrm | 47A |
| Vces | 1200V |
| Vges | -20...20V |
| Ifnom | 100A |
| Rgint | 2.0Ω |
| Td(вкл) | 167ns |
| Visol | 4000V |
| Ic 25c | 154A |
| Ic 80c | 118A |
| Ic nom | 100A |
| If 25c | 118A |
| If 80c | 89A |
| Макс. ТК | 125°C |
| Td(выкл) | 380ns |
| Макс. Tj | 175°C |
| Tj мин. | -40°C |
| Вес | 325g |
| Fsw max | 20kHz |
| Lce max | 20nH |
| Корпус | SEMITRANS® 3 Case A-13 |
| Top max | 150°C |
| Top min | -40°C |
| Тип монтажа | Выводной |
| Ms mount | 3...5Nm |
| Макс. Tstg | 125°C |
| Мин. Tstg | -40°C |
| Vcc test | 800V |
| Rcc ee 25c | 0.25mΩ |
| Rf 25c max | 10.4mΩ |
| Rf 25c typ | 9.2mΩ |
| Rth cs max | 0.038K/W |
| Rth cs typ | 0.02K/W |
| Vf 25c max | 2.54V |
| Vf 25c typ | 2.22V |
| Vge th max | 6.5V |
| Vge th min | 5V |
| Vge th typ | 5.8V |
| Описание | IGBT Module, SEMITRANS 3, IGBT4 Trench, CAL4 diode |
| Mt terminal | 2.5...5Nm |
| Артикул | SKM100GB12T4G |
| Rcc ee 125c | 0.5mΩ |
| Rce 25c max | 12.0mΩ |
| Rce 25c typ | 10.5mΩ |
| Rf 150c max | 14.0mΩ |
| Rf 150c typ | 12.8mΩ |
| Rth jc igbt | 0.29K/W |
| Vf0 25c max | 1.5V |
| Vf0 25c typ | 1.3V |
| Vf 150c max | 2.5V |
| Vf 150c typ | 2.18V |
| Ices 25c max | 0.3mA |
| Ices 25c typ | 0.1mA |
| Rce 150c max | 16.0mΩ |
| Rce 150c typ | 15.0mΩ |
| Rth jc diode | 0.49K/W |
| Vce0 25c max | 0.9V |
| Vce0 25c typ | 0.8V |
| Vf0 150c max | 1.1V |
| Vf0 150c typ | 0.9V |
| Vce0 150c max | 0.8V |
| Vce0 150c typ | 0.7V |
| Vce sat 25c max | 2.1V |
| Vce sat 25c typ | 1.85V |
| Vce sat 150c max | 2.4V |
| Vce sat 150c typ | 2.2V |
| Тип упаковки | Paper Box |
| Описание (англ.) | IGBT Module N-CH 1200V 160A 7-Pin Case GB |
Заметили ошибку в описании или параметрах?