Документация
Биполярный транзистор IGBT SKM100GB12T4
У поставщика
ПроизводительSemikron
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
217 шт.
Норм. уп.: 8
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:217 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 8
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 4 274,96 |
| от 3 | 4 130,08 |
| от 5 | 4 033,15 |
| от 8 | 3 947,89 |
| от 24 | 3 890,24 |
Описание
Биполярный транзистор IGBT SKM100GB12T4 от Semikron выполнен в корпусе SEMITRANS® 2 Case A-12. Модуль рассчитан на напряжение 1200 В и ток до 160 А. Подходит для применения в промышленной автоматике и силовых преобразователях.
Технические характеристики
| Тип | IGBT Module |
| Вес | 160g |
| Корпус | SEMITRANS 2 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 75ns |
| Время нарастания | 47ns |
| Gate charge | 565nC |
| Артикул | SKM100GB12T4 |
| Turn on energy | 15mJ |
| Turn off energy | 10.2mJ |
| Вх. емкость | 6.15nF |
| Напр. изоляции | 4000V AC |
| On resistance 25c | 10.0mΩ |
| On resistance 150c | 15.0mΩ |
| Выходная емкость | 0.40nF |
| Время задержки включения | 165ns |
| Surge diode current | 550A |
| Время задержки выключения | 400ns |
| Nominal diode current | 100A |
| Threshold voltage 25c | 0.8V |
| Collector current tc25 | 160A |
| Collector current tc80 | 123A |
| Gate threshold voltage | 5..6.5V |
| Max diode current tc25 | 121A |
| Max diode current tc80 | 91A |
| Threshold voltage 150c | 0.7V |
| Diode on resistance 25c | 9.0mΩ |
| Заряд обратного восстановления | 15.7µC |
| Reverse recovery energy | 5.9mJ |
| Макс. частота переключения | 20kHz |
| Тип упаковки | Paper Box |
| Diode on resistance 150c | 12.5mΩ |
| Internal gate resistance | 7.5Ω |
| Mounting torque heat sink | 3-5 Nm |
| Mounting torque terminals | 2.5-5 Nm |
| Nominal collector current | 100A |
| Диап. темп. хр. | -40..125°C |
| Gate emitter voltage range | -20..20V |
| Диапазон темп. перехода | -40..175°C |
| Saturation voltage typ 25c | 1.80V |
| Diode threshold voltage 25c | 1.3V |
| Module parasitic inductance | 30nH |
| Saturation voltage typ 150c | 2.20V |
| Diode threshold voltage 150c | 0.9V |
| Обратная проходная емкость | 0.345nF |
| Short circuit withstand time | 10µs |
| Thermal resistance case sink | 0.04..0.05K/W |
| Описание (англ.) | IGBT Module N-CH 1200V 160A 7-Pin Case GB |
| Diode forward voltage typ 25c | 2.20V |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер | 1200V |
| Repetitive peak diode current | 300A |
| Diode forward voltage typ 150c | 2.15V |
| Recommended operating temperature | -40..150°C |
| Repetitive peak collector current | 300A |
| Diode peak reverse recovery current | 54A |
| Module resistance terminal chip 25c | 0.65mΩ |
| Module resistance terminal chip 125c | 1mΩ |
| Thermal resistance junction case igbt | 0.27K/W |
| Thermal resistance junction case diode | 0.48K/W |
| Напряжение, В | 1200 |
| Ток, А | 100 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?