Документация
Силовой модуль SKM100GB125DN
У поставщика
У поставщиков
134 шт.
Норм. уп.: 8
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:134 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 8
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 8 305,62 |
| от 2 | 8 045,27 |
| от 3 | 7 871,12 |
| от 5 | 7 717,91 |
| от 8 | 7 614,33 |
Описание
Силовой модуль SKM100GB125DN от Semikron предназначен для мощных преобразователей напряжения. Выдерживает ток до 100 А и напряжение 1200 В, выполнен в надежном корпусе SEMITRANS. Применяется в промышленной автоматике, частотных приводах и источниках бесперебойного питания.
Технические характеристики
| Тип | Силовое |
| Корпус | D 93 |
| Вес | 160g |
| Climate | 40/125/56 |
| Корпус | SEMITRANS 2N (low inductance) |
| Тип монтажа | винтовое |
| Diode i2t | 2600A2s |
| Время спада | 20ns |
| Время нарастания | 40ns |
| Вибрация | 5x9.81m/s2 |
| Размеры | см. технический паспорт |
| Voltage ces | 1200V |
| Voltage cgr | 1200V |
| Voltage ges | ±20V |
| UL признан | File no. E 63 532 |
| Humidity class | 3K7/IE32 |
| Turn on energy | 9mWs |
| Terminal torque | 2.5-5Nm |
| Turn off energy | 3.5mWs |
| Напр. изоляции | 2500V |
| Power tot per igbt | 690W |
| Время задержки включения | 80ns |
| Current ic case 25c | 100A |
| Current ic case 80c | 80A |
| Current icm 25c 1ms | 200A |
| Current icm 80c 1ms | 160A |
| Internal inductance | 25nH |
| Температура хранения | -40...150°C |
| Время задержки выключения | 360ns |
| Макс. темп. корпуса | 125°C |
| Diode current if 25c | 95A |
| Diode current if 80c | 65A |
| Temperature junction | -40...150°C |
| Время обратного восстановления | 12...15ns |
| Thermal resistance ch | 0.05°C/W |
| Gate threshold voltage | 4.5...6.5V |
| Input capacitance cies | 6.6nF |
| Output capacitance coes | 900pF |
| Заряд обратного восстановления | 3...10µC |
| Diode surge current ifsm | 720A |
| Mounting torque heatsink | 3-5Nm |
| Reverse recovery current | 27...40A |
| Diode current ifm 25c 1ms | 200A |
| Diode current ifm 80c 1ms | 160A |
| Forward voltage diode 75a | 2.0...2.5V |
| Forward voltage diode 100a | 2.25...2.05V |
| Thermal resistance jc igbt | 0.18°C/W |
| Thermal resistance jc diode | 0.50°C/W |
| Reverse transfer capacitance cres | 500pF |
| Collector emitter saturation voltage 75a | 3.3...3.65V |
| Collector emitter saturation voltage 100a | 3.8V |
| Напряжение, В | 1200 |
| Ток, А | 100 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?