Документация
Силовой тиристорный модуль 1600В 119А
У поставщика
ПроизводительSemikron
У поставщиков
132 шт.
Норм. уп.: 12
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:132 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 12
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2 583,66 |
| от 4 | 2 491,28 |
| от 8 | 2 429,48 |
| от 12 | 2 375,12 |
| от 36 | 2 338,36 |
Описание
Силовой тиристорный модуль от Semikron рассчитан на напряжение 1600 В и ток 119 А. Компонент выполнен в прочном корпусе SEMIPACK® 1 Case A-21. Применяется в промышленной автоматике и силовых преобразователях.
Технические характеристики
| Тип | Thyristor Module |
| Мощность, Вт | I2t tj25: 25313A²s; I2t tj130: 18050A²s |
| Ток, А | I trms: 190A; I tsm tj25: 2250A; I t av tc85: 119A; I tsm tj130: 1900A; I t av tc100: 91A |
| Корпус | SEMIPACK® 1 Case A-21 |
| Напряжение, В | V drm: 1600V; VRRM: 1600V; V rsm: 1700V; Напр. изоляции: 3000V (1min), 3600V (1s) |
| Особенности | Heat transfer through aluminium oxide ceramic isolated metal baseplate, UL recognized, file no. E63532 |
| Тип монтажа | THT |
| Механические | Вес: 75g; Вибрация: 5*9.81m/s²; Момент затяжки: 4.25...5.75Nm; Terminal torque: 2.55...3.45Nm |
| Артикул | SKKT107/16E |
| Применение | DC motor control, AC motor soft starters, Temperature control, Professional light dimming |
| Ток удержания | I h tj25: 150...250mA |
| Ток утечки | I dd i rd: 20mA |
| Latching current | I l tj25 rg33: 300...600mA |
| Темп. диапазон | Storage: -40...125°C; Junction: -40...130°C |
| Тепловое сопротивление | Rth cs per chip: 0.22K/W; Rth cs per module: 0.11K/W; Rth jc rec120 per chip: 0.21K/W; Rth jc sin180 per chip: 0.2K/W; Rth jc rec120 per module: 0.105K/W; Rth jc sin180 per module: 0.1K/W; Rth jc continuous dc per chip: 0.19K/W; Rth jc continuous dc per module: 0.095K/W |
| Gate characteristics | T q: 200µs; T gd: 1µs; T gr: 2µs; I gt tj25: 100mA; V gt tj25: 2.5V; I gd tj130: 4mA; V gd tj130: 0.25V |
| Тип упаковки | Paper Box |
| On state characteristics | R t tj130: 2.80...3.35mΩ; V t to tj130: 0.8...0.9V; V t tj25 it300: 1.6...1.75V |
| Switching characteristics | Di dt cr: 140A/µs; Dv dt cr: 1000V/µs |
| Описание (англ.) | Тиристорный модуль 1600В 119А |
Заметили ошибку в описании или параметрах?