Документация
SKKH72/16E (MT90CB16T1), 90A, 1600В тиристор/диод модуль YANGJIE (арт. 281549)
У поставщика
ПроизводительYangjie
КатегорияДиодные модули
У поставщиков
300 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:300 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 10
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1 119,17 |
Описание
Тиристорно-диодный модуль SKKH72/16E (MT90CB16T1) производства Yangjie представляет собой силовой полупроводниковый сборник, рассчитанный на номинальный ток 90 А и обратное напряжение 1600 В. Компонент предназначен для применения в схемах регулирования мощности, выпрямителях и преобразователях частоты. Модуль отличается высокой надежностью и устойчивостью к импульсным нагрузкам, что делает его востребованным в промышленной автоматике и силовой электронике.
Технические характеристики
| I h | 150mA (min), 250mA (max) (Tvj=25°C, VD=6V) |
| I l | 300mA (min), 600mA (max) (Tvj=25°C, RG=33Ω) |
| R t | 2 mΩ (Tvj=125°C, slope resistance) |
| T q | 100 µs (Tvj=Tvjm) |
| I gd | 6mA (Tvj=125°C, VD=2/3 VDRM) |
| I gt | 150mA (Tvj=25°C, VD=6V) |
| T gd | 1 µs (Tvj=25°C, IG=1A, diG/dt=1A/µs) |
| Тип | thyristor_diode_module |
| V fm | 1.65V (IF=300A, T=25°C) |
| V gd | 0.25V (Tvj=125°C, VD=2/3 VDRM) |
| V gt | 3V (Tvj=25°C, VD=6V) |
| V tm | 1.65V (IT=300A, T=25°C) |
| V to | 0.9V (Tvj=125°C, for power loss calculation) |
| Di dt | 150 A/µs (Tvj=Tvjm, 2/3 VDRM, IG=500mA, Tr<0.5µs, tp>6µs) |
| Dv dt | 1000 V/µs (Tvj=Tvjm, 2/3 VDRM, linear voltage rise) |
| I fav | 90A |
| Ток I_FSM | 2000A (10ms, sine, Tvj=45°C) |
| I tav | 90A |
| I tsm | 2000A (10ms, sine, Tvj=45°C) |
| V drm | 1600V |
| VRRM | 1600V |
| V rsm | 1700V |
| Вес | 100 g |
| Тип | тиристор/диод модуль |
| Ток, А | 90 А |
| Корпус | T1 |
| Тип монтажа | Выводной |
| I2t diode | 20000 A²s |
| Изоляция | ceramic isolated metal baseplate |
| Артикул | MT90CB16T1 |
| Производитель | YANGJIE |
| Температура хранения | -40 to +125°C |
| I2t thyristor | 20000 A²s (Tvj=45°C) |
| Тип монтажа | THT (screw terminals) |
| UL признан | E360040 |
| Тип компонента | Thyristor/Diode Module |
| I2t fusing 45c | 20000 A²s |
| I2t fusing 125c | 15000 A²s |
| V isolation rms | 3000V (50Hz, 1min) |
| Diode i2t fusing | 20000 A²s |
| Voltage rating vrsm | 1700V |
| Напряжение, В | 1600 В |
| Изол. напр. RMS | 3000V |
| Holding current ih max | 250mA |
| Diode output current dc | 90A |
| Latching current il max | 600mA |
| Gate trigger current igt | 150mA |
| Gate trigger voltage vgt | 3V |
| Voltage rating vrrm vdrm | 1600V |
| Диап. темп. хр. | -40 to +125°C |
| Mounting torque heatsink m6 | 5±15% Nm |
| Mounting torque terminal m5 | 3±15% Nm |
| Thermal resistance cs diode | 0.10 °C/W |
| Thermal resistance jc diode | 0.14 °C/W |
| Mounting torque terminals m5 | 3 ±15% Nm |
| Non trigger gate current igd | 6mA |
| Non trigger gate voltage vgd | 0.25V |
| On state slope resistance rt | 2 mΩ |
| Average on state current itav | 90A |
| Operating junction temp diode | -40 to +125°C |
| Gate controlled delay time tgd | 1 µs |
| On state threshold voltage vto | 0.9V |
| Thermal resistance cs thyristor | 0.20 °C/W |
| Thermal resistance jc thyristor | 0.28 °C/W |
| Junction temperature range diode | -40 to +125°C |
| Operating junction temp thyristor | -40 to +130°C |
| Circuit commutated turn off time tq | 100 µs |
| Forward voltage drop vfm at 300a 25c | 1.65V |
| Junction temperature range thyristor | -40 to +130°C |
| Surge on state current itsm 10ms 45c | 2000A |
| Surge on state current itsm 10ms 125c | 1750A |
| Thermal resistance case heatsink diode | 0.10 °C/W |
| Thermal resistance junction case diode | 0.14 °C/W |
| Diode surge forward current ifsm 10ms 45c | 2000A |
| Repetitive peak reverse current diode 25c | ≤0.5 mA |
| Repetitive peak reverse current diode 125c | ≤6 mA |
| Thermal resistance case heatsink thyristor | 0.20 °C/W |
| Thermal resistance junction case thyristor | 0.28 °C/W |
| Critical rate of rise of on state current di dt | 150 A/µs |
| Repetitive peak off state current thyristor max | 20 mA |
| Critical rate of rise of off state voltage dv dt | 1000 V/µs |
Заметили ошибку в описании или параметрах?