Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 0.78А 0,54Вт
У поставщика
ПроизводительSHIKUES
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
50 890 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:50 890 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 354 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,96 |
| от 273 | 1,71 |
| от 546 | 1,52 |
| от 1 092 | 1,36 |
| от 2 184 | 1,22 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канального типа от производителя SHIKUES. Работает при напряжении до 20 В, токе до 0,78 А и мощности 0,54 Вт, имеет сопротивление открытого канала 0,6 Ом. Выполнен в компактном корпусе SOT-23. Подходит для коммутации нагрузок в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Корпус | SOT-23 |
| On resistance | Vgs=-10v id=-3.2a: 55mΩ max; Vgs=-2.5v id=-1.0a: 120mΩ max; Vgs=-4.5v id=-3.0a: 70mΩ max |
| Напряжение затвор-исток | ±12V |
| Напряжение сток-исток | -30V |
| Gate threshold voltage | -0.7V to -1.3V |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Drain current continuous | -3.2A |
| Описание (англ.) | P-LogL 20V 0,78A 0,54W 0,6R SOT23 |
| Напряжение пробоя сток-исток | -30V |
| Zero gate voltage drain current | -1μA max |
| Gate body leakage current forward | 100nA max |
| Gate body leakage current reverse | -100nA max |
| Drain source diode forward voltage | -1.0V at IS=-1.0A |
Заметили ошибку в описании или параметрах?