Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3А 1,25Вт
У поставщика
ПроизводительSHIKUES
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
29 860 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:29 860 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 324 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2,14 |
| от 257 | 1,87 |
| от 513 | 1,67 |
| от 1 026 | 1,47 |
| от 2 052 | 1,35 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канального типа от производителя SHIKUES. Работает при напряжении до 30 В, токе до 3 А и мощности 1,25 Вт, имеет сопротивление открытого канала 0,098 Ом. Выпускается в компактном корпусе Micro3™ (SOT-23). Подходит для коммутации нагрузки в портативных устройствах и цепях защиты бытовой электроники.
Технические характеристики
| V ds | -30V |
| V gs | ±20V |
| Корпус | Micro3™ (SOT-23/TO-236AB) |
| Тип монтажа | SMD |
| I dss max | -0.3μA |
| I gss max | ±100nA |
| Артикул | SK3407AA |
| V gs th max | -2.4V |
| V gs th min | -1.0V |
| V gs th typ | -1.5V |
| V br dss min | -30V |
| V br dss typ | -33V |
| Тип компонента | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| I d continuous | -4.1A |
| Рассеиваемая мощность | 1.25W |
| Current rating note | 3A (per component description) |
| R ds on vgs 10v max | 51 mΩ |
| R ds on vgs 10v typ | 36 mΩ |
| I dss test condition | VDS = -30V, VGS = 0V, TJ = 25°C |
| I gss test condition | VGS = ±20V |
| R ds on vgs 4 5v max | 68 mΩ |
| R ds on vgs 4 5v typ | 52 mΩ |
| V gs th test condition | VDS = VGS, ID = -250μA |
| V br dss test condition | VGS = 0V, ID = -250μA |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| I d continuous condition | TJ = 25°C |
| Описание (англ.) | P-LogL 30V 3A 1,25W 0,098 Om |
| R ds on vgs 10v test condition | VGS = -10V, ID = -4.1A |
| R ds on vgs 4 5v test condition | VGS = -4.5V, ID = -3.5A |
Заметили ошибку в описании или параметрах?