Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.2А 0.54Вт, 0.25 Ом
У поставщика
ПроизводительSHIKUES
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
101 385 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:101 385 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 378 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,83 |
| от 292 | 1,60 |
| от 584 | 1,41 |
| от 1 168 | 1,25 |
| от 3 000 | 1,14 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от производителя SHIKUES. Работает при напряжении до 30 В, выдерживает ток до 1.2 А и мощность 0.54 Вт, сопротивление открытого канала — 0.25 Ом. Компонент выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для коммутации нагрузок в бытовой электронике и портативных устройствах.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| Корпус | SOT-23 |
| Особенности | Lead free product, Surface mount package, High power and current handing capability |
| Тип монтажа | SMD |
| Применение | Battery protection, Load switch, Power management |
| Заряд сток-затвор | 0.65nC |
| Вх. емкость | 230pF |
| Полный заряд затвора | 4.0nC |
| Время нарастания | 50ns |
| Заряд затвор-исток | 0.75nC |
| Выходная емкость | 40pF |
| Время спада | 20ns |
| Время задержки включения | 10ns |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 10ns |
| Drain current pulsed | 15A |
| Напряжение сток-исток | 30V |
| Diode forward current | 1.6A |
| Напр. диода | 0.8V typ, 1.2V max (at I_S=2.7A) |
| Gate threshold voltage | 1.2V min, 1.5V typ, 2.2V max |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Drain current continuous | 3.6A |
| Прямая крутизна | 11S (typ) |
| Gate body leakage current | ±100nA (max) |
| Maximum power dissipation | 1.7W |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Обратная проходная емкость | 17pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
| Напряжение пробоя сток-исток | 30V (min 30V, typ 33V) |
| Zero gate voltage drain current | 1μA (max) |
| Drain source on state resistance | At 10V: 58mΩ max, 40mΩ typ (at I_D=3.6A); At 4.5V: 73mΩ max, 58mΩ typ (at I_D=3.1A) |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to 150°C |
| Термосопротивление переход-среда | 73.5°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?