+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
SIHH070N60EF-T1GE3
Документация

Транзисторы и сборки цифровые SIHH070N60EF-T1GE3

Артикул:312729
У поставщика
У поставщиков
500 шт.
Норм. уп.: 500
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:500 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 500
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1635,98
Описание

Транзистор SIHH070N60EF-T1GE3 производства Vishay представляет собой мощный N-канальный MOSFET. Компонент выполнен в компактном корпусе для поверхностного монтажа и отличается низким сопротивлением открытого канала. Предназначен для применения в высокоэффективных импульсных источниках питания и преобразователях напряжения.

Технические характеристики
ТипN-канальный MOSFET
Ток70 А
КорпусPowerPAK SO-8
МонтажSMD
Напряжение600 В