Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 218A
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
161 шт.
Норм. уп.: 243
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт368,72 ₽
Сумма737,44 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии161 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 2 штюрлицам и ИП
от 4 — 364,23 ₽ (−1%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 737,44 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 562,56 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
2 шт · Склад 13 · 737,44 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от Vishay. Рабочее напряжение 60 В при токе до 218 А в корпусе PowerPAK® SO-8 Single. Подходит для мощных импульсных источников питания и схем управления нагрузкой в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Серия | TrenchFET Gen IV |
| Корпус | PowerPAK® SO-8 Single |
| Тип монтажа | SMD |
| Без свинца | Да |
| Размеры | 6.15mm x 5.15mm |
| Описание | N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET |
| Артикул | SiDR626LEP-T1-RE3 |
| Применение | Synchronous rectification, Primary side switch, DC/DC converter, Solar micro inverter, Motor drive switch, Battery and load switch, Промышленный |
| Тип канала | N-канальный |
| Без галогенов | Да |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Конфигурация | Single |
| Тип. выходной заряд | 80nC |
| Напряжение пробоя сток-исток, мин. | 60V |
| Макс. пороговое Vgs | 2.5V |
| Мин. пороговое Vgs | 1V |
| Тип. пороговое напряжение затвор-исток | 2.5V |
| RDS(on) макс. при VGS 10 В | 0.0015Ω |
| Сопротивление затвора, макс. | 1.5Ω |
| Сопротивление затвора, мин. | 0.3Ω |
| Тип. сопротивление затвора | 0.88Ω |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| RDS(on), макс. при VGS 4,5 В | 0.0021Ω |
| Напряжение сток-исток | 60V |
| Импульсный ток стока | 300A |
| Fall time max vgs 10v | 20ns |
| Fall time typ vgs 10v | 10ns |
| Тип. заряд затвор-сток | 10.8nC |
| Тип. входная емкость | 5900pF |
| Rise time max vgs 10v | 128ns |
| Rise time typ vgs 10v | 64ns |
| Заряд затвора макс. | 62nC |
| Тип. заряд затвора | 41nC |
| Макс. напряжение диода тела | 1.1V |
| Body diode voltage typ | 0.71V |
| Fall time max vgs 4 5v | 40ns |
| Fall time typ vgs 4 5v | 20ns |
| Тип. заряд затвор-исток | 17.4nC |
| Выходная емкость тип. | 1340pF |
| Rise time max vgs 4 5v | 470ns |
| Rise time typ vgs 4 5v | 235ns |
| Ток утечки затвор-исток, макс. | 100nA |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Рассеиваемая мощность при 25 °C | 7.5W |
| Рассеиваемая мощность при Ta 70 °C | 5.25W |
| Рассеиваемая мощность при TC 25 °C | 150W |
| Power dissipation tc 70c | 105W |
| Rds on typ vgs 10v id 20a | 0.0012Ω |
| Диап. темп. хр. | -55 to +175°C |
| Ток стока во включённом состоянии мин. | 40A |
| Rds on typ vgs 4 5v id 20a | 0.0017Ω |
| Пиковая температура пайки | 260°C |
| Температурный коэффициент Vds | 37mV/°C |
| Тип. прямая крутизна | 140S |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 60V 48.7A 8-Pin PowerPAK SO-DC EP T/R |
| Энергия одиноч. импульса | 125mJ |
| Рабочая температура перехода | -55 to +175°C |
| Reverse recovery fall time typ | 27ns |
| Reverse recovery rise time typ | 27ns |
| Ток лавинного пробоя одиночного импульса | 50A |
| Turn on delay time max vgs 10v | 34ns |
| Turn on delay time typ vgs 10v | 17ns |
| ТКС порогового напряжения VGS | -4.9mV/°C |
| Непрерывный ток стока при 25 °C | 218A |
| Continuous drain current tc 70c | 182A |
| Turn off delay time max vgs 10v | 90ns |
| Turn off delay time typ vgs 10v | 45ns |
| Turn on delay time max vgs 4 5v | 80ns |
| Turn on delay time typ vgs 4 5v | 40ns |
| Обр. проходная емкость тип. | 60pF |
| Turn off delay time max vgs 4 5v | 94ns |
| Turn off delay time typ vgs 4 5v | 47ns |
| Макс. ток стока при нулевом напряжении затвора | 1µA |
| Время обратного восстановления диода, макс. | 108ns |
| Тип. время восстановления диода | 54ns |
| Заряд обратного восстановления диода, макс. | 140nC |
| Тип. заряд восстановления диода | 70nC |
| Continuous drain current tj 150c tc 25c | 48.7A |
| Continuous drain current tj 150c tc 70c | 40.8A |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 20°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда, тип. | 15°C/W |
| Zero gate voltage drain current max tj 70c | 15µA |
| Continuous source drain diode current tc 25c | 136A |
| Thermal resistance junction to case drain max | 1°C/W |
| Thermal resistance junction to case drain typ | 0.8°C/W |
| Thermal resistance junction to case source max | 1.4°C/W |
| Thermal resistance junction to case source typ | 1.1°C/W |
| Continuous source drain diode current tc 25c alt | 6.8A |
| Thermal resistance junction to ambient steady state max | 54°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?