Транзисторы и сборки MOSFET SI4946BEY-T1-E3
У поставщика
ПроизводительBYCHIP
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
1 шт.
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 39срок до недели
Цена за шт47,09 ₽
Сумма47,09 ₽
В наличии1 шт
юрлицам и ИП
1 шт · Склад 39 · 47,09 ₽
Описание
SI4946BEY-T1-E3 — сборка из двух полевых MOSFET-транзисторов производства BYCHIP. Компонент выполнен в компактном корпусе для поверхностного монтажа и объединяет два канала в одном корпусе, что экономит место на плате. Применяется в цепях коммутации нагрузки, в схемах питания и в качестве ключевых элементов в различной электронной аппаратуре.
Технические характеристики
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Особенности FET | Logic Level Gate |
| Макс. мощность | 3.7W |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| Тип монтажа | поверхностный монтаж |
| Корпус | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Описание | MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC |
| Пороговое напряжение Vgs (Макс.) при Id | 3V @ 250µA |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Сопротивление Rds вкл. (Макс.) при Id, Vgs | 41mOhm @ 5.3A, 10V |
| Корпус по производителю | 8-SOIC |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs | 25nC @ 10V |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) при Vds | 840pF @ 30V |
| Непрерывный ток стока (Id) при 25 °C | 6.5A |
| Мощность, Вт | 3,7 |
| Напряжение, В | 60 |
| Ток, А | 6,5 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?