Транзисторы и сборки MOSFET SI4946BEY-T1-E3
У поставщика
ПроизводительBYCHIP
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
1 шт.
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:1 шт.
Срок поставки: до недели
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 48,86 |
| от 82 | 44,54 |
| от 136 | 42,10 |
| от 225 | 40,16 |
| от 378 | 38,73 |
Описание
SI4946BEY-T1-E3 — сборка из двух полевых MOSFET-транзисторов производства BYCHIP. Компонент выполнен в компактном корпусе для поверхностного монтажа и объединяет два канала в одном корпусе, что экономит место на плате. Применяется в цепях коммутации нагрузки, в схемах питания и в качестве ключевых элементов в различной электронной аппаратуре.
Технические характеристики
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Power - Max | 3.7W |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Описание | MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 5.3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 840pF @ 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A |
| Мощность, Вт | 3,7 |
| Напряжение, В | 60 |
| Ток, А | 6,5 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?