Документация
Транзистор полевой SI4848DY-T1-E3
У поставщика
У поставщиков
3 321 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:3 321 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 14 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 53,81 |
| от 72 | 49,82 |
| от 144 | 46,66 |
| от 288 | 43,88 |
| от 575 | 42,02 |
Описание
Полевой N-Channel MOSFET от Vishay в компактном корпусе SO-8 для поверхностного монтажа. Выдерживает напряжение до 150 В и импульсный ток до 25 А, рассеивая до 3 Вт. Технология TrenchFET обеспечивает низкое сопротивление канала. Подходит для импульсных источников питания и цепей управления нагрузкой в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel MOSFET |
| Шаг | 1.27mm |
| Корпус | SO-8 |
| Тип монтажа | SMD |
| Кол-во выводов | 8 |
| Технология | TrenchFET |
| Описание | N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
| Артикул | SI4848DY-T1-E3 |
| Channel type | N-Channel |
| Без галогенов | Да |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Макс. время спада | 25ns |
| Макс. время нарастания | 15ns |
| Соотв. RoHS | Да |
| Лавинный ток | 10A |
| Тип. время спада | 17ns |
| Заряд сток-затвор | 6.0nC |
| Вх. емкость | 1200pF |
| Тип. время нарастания | 10ns |
| Заряд затвор-исток | 3.2nC |
| Выходная емкость | 300pF |
| Размеры упаковки | 4.80-5.00mm x 3.80-4.00mm x 1.35-1.75mm |
| Gate resistance max | 1.8Ω |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Напряжение сток-исток | 150V |
| Импульсный ток стока | 25A |
| Avalanche current max | 10A |
| Gate body leakage max | ±100nA |
| Тип. заряд затвор-сток | 6.0nC |
| Заряд затвора макс. | 21nC |
| Тип. заряд затвора | 17nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 3.2nC |
| On state drain current | 25A |
| Время вкл. макс. | 14ns |
| Gate resistance typical | 0.5Ω |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Package dimension a max | 1.75mm |
| Package dimension a min | 1.35mm |
| Package dimension d max | 5.00mm |
| Package dimension d min | 4.80mm |
| Package dimension e max | 4.00mm |
| Package dimension e min | 3.80mm |
| Package dimension h max | 6.20mm |
| Package dimension h min | 5.80mm |
| Rds on vgs6v id3 0a max | 0.095Ω |
| Макс. время выключения | 35ns |
| Макс. напряжение сток-исток | 150V |
| Прямая крутизна | 15S |
| Pulsed drain current max | 25A |
| Rds on vgs10v id3 5a max | 0.085Ω |
| Напр. диода макс. | 1.2V |
| Тип. прямое напряжение диода | 0.75V |
| Power dissipation 25c 10s | 3.0W |
| Power dissipation 70c 10s | 1.9W |
| Макс. время обрат. восстановления | 70ns |
| Тип. время восст. | 45ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Total gate charge typical | 17nC |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.0V |
| Тип. пороговое Uзи | 2.0V |
| Turn on delay time typical | 9.0ns |
| Rds on vgs6v id3 0a typical | 0.076Ω |
| Turn off delay time typical | 24ns |
| Длительный ток стока 25°C | 3.7A |
| Continuous drain current 70c | 3.0A |
| Power dissipation 25c steady | 1.5W |
| Power dissipation 70c steady | 1.0W |
| Rds on vgs10v id3 5a typical | 0.068Ω |
| Обратная проходная емкость | 600pF |
| Diode forward voltage typical | 0.75V |
| Рабочая температура перехода | -55 to 150°C |
| Continuous drain current 25c 10s | 3.7A |
| Continuous drain current 70c 10s | 3.0A |
| Continuous source current 25c 10s | 2.5A |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Power dissipation 25c steady state | 1.5W |
| Power dissipation 70c steady state | 1.0W |
| Drain source on resistance vgs6v max | 0.095Ω |
| Drain source on resistance vgs6v typ | 0.076Ω |
| Drain source on resistance vgs10v max | 0.085Ω |
| Drain source on resistance vgs10v typ | 0.068Ω |
| Source drain reverse recovery time max | 70ns |
| Zero gate voltage drain current 25c max | 1µA |
| Zero gate voltage drain current 55c max | 5µA |
| Continuous drain current 25c steady state | 3.0A |
| Continuous drain current 70c steady state | 2.7A |
| Continuous source current 25c steady state | 1.3A |
| Source drain reverse recovery time typical | 45ns |
| Thermal resistance junction to ambient 10s max | 42°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient 10s typ | 35°C/W |
| Thermal resistance junction to foot steady max | 23°C/W |
| Thermal resistance junction to foot steady typ | 18°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient steady max | 82°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient steady typ | 68°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient 10s typical | 35°C/W |
| Thermal resistance junction to foot steady state max | 23°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient steady state max | 82°C/W |
| Thermal resistance junction to foot steady state typical | 18°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient steady state typical | 68°C/W |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET |
Заметили ошибку в описании или параметрах?