Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 16.1А 6.3Вт
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
127 шт.
Норм. уп.: 2500
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт42,22 ₽
Сумма844,40 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии127 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 20 штюрлицам и ИП
от 47 — 38,69 ₽ (−8%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 844,40 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 455,60 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
20 шт · Склад 13 · 844,40 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный от Vishay. Работает при напряжении до 40 В, токе до 16.1 А и мощности 6.3 Вт, выпускается в компактном корпусе SO-8. Подходит для цепей управления питанием и защиты от обратной полярности в промышленной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | SO-8 |
| Тип монтажа | SMD |
| Без свинца | Да |
| Кол-во выводов | 8 |
| Описание | P-Channel 40V MOSFET |
| Артикул | SI4401DDY-T1-GE3 |
| Применение | Load Switch, POL |
| Тип канала | P-канал |
| Без галогенов | Да |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Соотв. RoHS | Да |
| Fall time vgs10 | 18ns |
| Сопротивление затвора | 2Ω |
| Rise time vgs10 | 20ns |
| Fall time vgs4 5 | 26ns |
| Rise time vgs4 5 | 75ns |
| Заряд сток-затвор | 15.7nC |
| Вх. емкость | 3007pF |
| Напряжение встроенного диода | -1.2V |
| Заряд затвор-исток | 9.8nC |
| Выходная емкость | 335pF |
| Ток утечки затвор-исток | ±100nA |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Напряжение сток-исток | -40V |
| Импульсный ток стока | -50A |
| Ток стока во включенном состоянии | -25A |
| Рассеиваемая мощность при 25 °C | 2.5W |
| Рассеиваемая мощность при Ta 70 °C | 1.6W |
| Рассеиваемая мощность при 25 °C | 6.3W |
| Рассеиваемая мощность при Tc 70 °C | 4W |
| Общий заряд затвора, Vgs 10 В | 95nC |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Прямая крутизна | 37S |
| Total gate charge vgs4 5 | 50nC |
| Turn on delay time vgs10 | 20ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Turn off delay time vgs10 | 68ns |
| Turn on delay time vgs4 5 | 86ns |
| Reverse recovery fall time | 20ns |
| Reverse recovery rise time | 16ns |
| Turn off delay time vgs4 5 | 60ns |
| Импульсный прямой ток диода | -50A |
| Обратная проходная емкость | 291pF |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-SOIC |
| Непрерывный ток стока, Ta 25 °C | -10.2A |
| Непрерывный ток стока, Ta 70 °C | -8.2A |
| Непрерывный ток стока, TC=25°C | -16.1A |
| Длительный ток стока при Tc=70°C | -12.9A |
| Пороговое напряжение затвор-исток | -1.2V to -2.5V |
| Энергия одиноч. импульса | 39mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | -40V |
| Рабочая температура перехода | -55 to 150°C |
| Ток лавинного пробоя одиночного импульса | -28A |
| Ток стока при нулевом напряжении затвора | -1µA |
| Время обратного восстановления диода | 54ns |
| Сопротивление открытого сток-исток, Vgs 10 В | 0.015Ω |
| Сопротивление открытого сток-исток, Vgs 4,5 В | 0.022Ω |
| Заряд обратного восстановления диода | 62nC |
| Continuous source drain current ta25 | -2.1A |
| Continuous source drain current tc25 | -5.3A |
| Zero gate voltage drain current tj55 | -5µA |
| Тепловое сопротивление переход-среда, 10 с | 50°C/W |
| Gate source threshold voltage temp coefficient | 5mV/°C |
| Drain source breakdown voltage temp coefficient | -36mV/°C |
| Thermal resistance junction to foot steady state | 20°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда, установившийся режим | 85°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?