Транзисторы и сборки MOSFET SI4401DDY-T1-GE3
У поставщика
ПроизводительVBSEMI
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
6 118 шт.
Норм. уп.: 4000
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:6 118 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 4000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 23,81 |
Описание
SI4401DDY-T1-GE3 — полевой MOSFET-транзистор производства VBSEMI, предназначенный для поверхностного монтажа. Компонент относится к категории полевых транзисторов и применяется в схемах коммутации и управления нагрузкой. Модель отличается низким сопротивлением открытого канала, что обеспечивает высокую эффективность преобразования. Подходит для использования в импульсных источниках питания, цепях защиты и другой электронной аппаратуре.
Технические характеристики
| FET Type | P-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Описание | MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 10.2A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3007 pF @ 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.1A (Tc) |
Заметили ошибку в описании или параметрах?