Транзисторы и сборки MOSFET SI4401DDY-T1-GE3
У поставщика
ПроизводительVBSEMI
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
6 209 шт.
Норм. уп.: 4000
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 39срок до недели
Цена за шт23,13 ₽
Сумма578,25 ₽
В наличии6 209 шт
от 25 штюрлицам и ИП
25 шт · Склад 39 · 578,25 ₽
Описание
SI4401DDY-T1-GE3 — полевой MOSFET-транзистор производства VBSEMI, предназначенный для поверхностного монтажа. Компонент относится к категории полевых транзисторов и применяется в схемах коммутации и управления нагрузкой. Модель отличается низким сопротивлением открытого канала, что обеспечивает высокую эффективность преобразования. Подходит для использования в импульсных источниках питания, цепях защиты и другой электронной аппаратуре.
Технические характеристики
| Тип FET | P-канал |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип монтажа | поверхностный монтаж |
| Корпус | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Описание | MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO |
| Пороговое напряжение Vgs (Макс.) при Id | 2.5V @ 250µA |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Сопротивление Rds вкл. (Макс.) при Id, Vgs | 15mOhm @ 10.2A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (Макс.) | 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) |
| Корпус по производителю | 8-SOIC |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs | 95 nC @ 10 V |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) при Vds | 3007 pF @ 20 V |
| Напряжение управления (Макс. Rds вкл., Мин. Rds вкл.) | 4.5V, 10V |
| Непрерывный ток стока (Id) при 25 °C | 16.1A (Tc) |
| Напряжение, В | -40 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?