Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 11.1А 2.5Вт
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
2 126 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:2 126 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
Минимальная партия: 100 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 486,45 |
| от 10 | 393,30 |
| от 100 | 329,75 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от Vishay. Работает при напряжении до 100 В, токе до 11.1 А и мощности 2.5 Вт, выпускается в корпусе SO-8. Подходит для коммутации нагрузок в промышленной автоматике и силовых цепях.
Технические характеристики
| Rg | 0.85Ω |
| Eas | 11.2mJ |
| Ias | 15A |
| Заряд затвор-сток | 4.3nC |
| Заряд затвор-исток | 2.8nC |
| Заряд обратного восстановления | 34nC |
| TRR | 34ns |
| Vsd | 0.77V |
| Ciss | 900pF |
| Coss | 340pF |
| Crss | 31pF |
| Qoss | 26.2nC |
| Тип | N-Channel MOSFET |
| Корпус | SO-8 |
| Макс. Vds | 100V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Особенности | TrenchFET, 100% Rg and UIS Tested |
| Тип монтажа | SMD |
| Pd ta25c | 2.5W |
| Pd ta70c | 1.6W |
| Pd tc25c | 5.7W |
| Pd tc70c | 3.6W |
| Ток стока импульсный | 70A |
| Is pulsed | 70A |
| Qg vgs10v | 19.6nC |
| Qg vgs4 5v | 9.7nC |
| T f vgs10v | 9ns |
| T r vgs10v | 10ns |
| Vgs порог макс. | 2.8V |
| Vgs порог мин. | 1.5V |
| Артикул | SI4056DY-T1-GE3 |
| T f vgs7 5v | 10ns |
| T r vgs7 5v | 14ns |
| Rds on vgs10v | 0.023Ω |
| T d on vgs10v | 11ns |
| Rds on vgs4 5v | 0.031Ω |
| Rds on vgs7 5v | 0.024Ω |
| T d off vgs10v | 20ns |
| T d on vgs7 5v | 13ns |
| T d off vgs7 5v | 19ns |
| Rds on typ vgs10v | 0.017Ω |
| Rds on typ vgs4 5v | 0.022Ω |
| Rds on typ vgs7 5v | 0.018Ω |
| Id continuous ta25c | 7.3A |
| Id continuous ta70c | 5.8A |
| Id continuous tc25c | 11.1A |
| Id continuous tc70c | 8.8A |
| Is continuous ta25c | 2.2A |
| Is continuous tc25c | 5.1A |
| Соответствие материала | Lead (Pb)-free and Halogen-free |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Темп. перехода мин. | -55°C |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SOIC |
| Thermal resistance junction ambient max 10s | 50°C/W |
| Thermal resistance junction ambient typical 10s | 35°C/W |
| Thermal resistance junction foot steady state max | 22°C/W |
| Thermal resistance junction foot steady state typical | 18°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?