Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 7.5А
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
102 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт31,91 ₽
Сумма797,75 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии102 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 25 штюрлицам и ИП
от 64 — 29,03 ₽ (−9%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 797,75 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 502,25 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
25 шт · Склад 13 · 797,75 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канального типа от Vishay. Рабочее напряжение до 30 В, ток до 7,5 А в компактном корпусе SOT-23. Подходит для коммутации нагрузок и управления питанием в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Без свинца | Да |
| Описание | P-Channel 30V MOSFET |
| Артикул | SI2393DS-T1-GE3 |
| Тип канала | P-канал |
| Без галогенов | Да |
| Код маркировки | G6 |
| Конфигурация | Single |
| Rds on vgs10 max | 0.0227ohm |
| Rds(on) при Vgs 10 В, тип. | 0.0189ohm |
| Rds on vgs45 max | 0.0330ohm |
| Rds on vgs45 typ | 0.0264ohm |
| Заряд сток-затвор | 2.8nC |
| Вх. емкость | 980pF |
| Макс. пороговое Vgs | -2.2V |
| Мин. пороговое Vgs | -1V |
| Заряд затвор-исток | 3.6nC |
| Выходная емкость | 440pF |
| Fall time vgs10 max | 64ns |
| Fall time vgs10 typ | 32ns |
| Fall time vgs45 max | 80ns |
| Fall time vgs45 typ | 40ns |
| Сопротивление затвора, макс. | 36.6ohm |
| Тип. сопротивление затвора | 18.3ohm |
| Напряжение затвор-исток | -20V / +16V |
| Rise time vgs10 max | 16ns |
| Rise time vgs10 typ | 8ns |
| Rise time vgs45 max | 170ns |
| Rise time vgs45 typ | 85ns |
| Напряжение сток-исток | -30V |
| Импульсный ток стока | -50A |
| Заряд затвора макс. | 12.3nC |
| Тип. заряд затвора | 8.2nC |
| Макс. напряжение диода тела | -1.2V |
| Body diode voltage typ | -0.8V |
| Ток стока во включенном состоянии | -10A |
| Рассеиваемая мощность при 25 °C | 1.3W |
| Рассеиваемая мощность при Ta 70 °C | 0.8W |
| Рассеиваемая мощность при 25 °C | 2.5W |
| Рассеиваемая мощность при Tc 70 °C | 1.6W |
| Ток утечки затвор-исток, макс. | 100nA |
| Макс. темп. хр. | 150C |
| Мин. темп. хр. | -55C |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Макс. ток утечки сток-исток | -1uA |
| Прямая крутизна | 10S |
| Reverse recovery fall time | 8.5ns |
| Reverse recovery rise time | 12.5ns |
| Импульсный прямой ток диода | -50A |
| Обратная проходная емкость | 55pF |
| Turn on delay time vgs10 max | 28ns |
| Turn on delay time vgs10 typ | 14ns |
| Turn on delay time vgs45 max | 45ns |
| Turn on delay time vgs45 typ | 30ns |
| Описание (англ.) | P-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
| Непрерывный ток стока, Ta 25 °C | -6.1A |
| Непрерывный ток стока, Ta 70 °C | -4.8A |
| Непрерывный ток стока, TC=25°C | -7.5A |
| Длительный ток стока при Tc=70°C | -6.9A |
| Drain source leakage tj70 max | -15uA |
| Turn off delay time vgs10 max | 96ns |
| Turn off delay time vgs10 typ | 48ns |
| Turn off delay time vgs45 max | 68ns |
| Turn off delay time vgs45 typ | 34ns |
| Continuous source drain current | -2.1A |
| Макс. темп. перехода | 150C |
| Мин. темп. перехода | -55C |
| Время обратного восстановления диода, макс. | 42ns |
| Тип. время восстановления диода | 21ns |
| Тепловое сопротивление переход-корпус, макс. | 50C/W |
| Тепловое сопротивление переход-корпус, тип. | 40C/W |
| Заряд обратного восстановления диода, макс. | 16nC |
| Тип. заряд восстановления диода | 8nC |
| Тепловое сопротивление переход-среда, макс. | 100C/W |
| Тепловое сопротивление кристалл-среда, тип. | 75C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?