Документация
Транзисторы и сборки MOSFET SI2374DS-T1-GE3
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
2 037 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт19,46 ₽
Сумма973,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии2 037 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 50 штюрлицам и ИП
от 66 — 18,37 ₽ (−6%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 973,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 327,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
50 шт · Склад 13 · 973,00 ₽
Описание
Транзистор SI2374DS-T1-GE3 производства Vishay представляет собой мощный N-канальный MOSFET. Компонент выполнен в компактном корпусе для поверхностного монтажа и отличается низким сопротивлением открытого канала. Предназначен для использования в схемах управления питанием и DC/DC-преобразователях.
Технические характеристики
| Тип | MOSFET |
| Ток, А | 5.8 А |
| Корпус | SOT-23 (TO-236) |
| Тип монтажа | SMD |
| Технология | TrenchFET |
| Код маркировки | F5 |
| Тип компонента | N-канальный MOSFET |
| Сопротивление затвора | 0.6Ω |
| Fall time vgs 8v | 9ns |
| Rise time vgs 8v | 22ns |
| Мощность, Вт | 1,25 |
| Входная ёмкость | 735pF |
| Выходная ёмкость | 110pF |
| Напряжение затвор-исток | ±8V |
| Импульсный ток стока | 25A |
| Напряжение сток-исток | 20V |
| Напряжение, В | 30 В |
| Рассеиваемая мощность при 25 °C | 0.96W |
| Рассеиваемая мощность при Ta 70 °C | 0.62W |
| Рассеиваемая мощность при TC 25 °C | 1.7W |
| Power dissipation tc 70c | 1.1W |
| Gate charge total vgs 10v | 13.4nC |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Turn on delay time vgs 8v | 4ns |
| Прямое напряжение диода тела | 0.8V |
| Gate charge total vgs 4 5v | 7.7nC |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 1V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 0.4V |
| Turn off delay time vgs 8v | 16ns |
| Диап. раб. темп. | -55°C to 150°C |
| Ёмкость обратной передачи | 40pF |
| Current drain continuous ta 25c | 4.5A |
| Current drain continuous ta 70c | 3.6A |
| Current drain continuous tc 25c | 5.9A |
| Current drain continuous tc 70c | 4.7A |
| Время обратного восстановления диода | 13ns |
| Заряд обратного восстановления диода | 6nC |
| Resistance drain source on vgs 1 8v | 0.041Ω |
| Resistance drain source on vgs 2 5v | 0.034Ω |
| Resistance drain source on vgs 4 5v | 0.030Ω |
| Тепловое сопротивление кристалл-вывод, макс. | 75°C/W |
| Тип. тепловое сопротивление переход-основание | 60°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient max 5s | 130°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient typical 5s | 100°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?