Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 4.3A
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
6 943 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт25,84 ₽
Сумма775,20 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии5 963 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 30 штюрлицам и ИП
от 75 — 23,41 ₽ (−9%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 775,20 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 524,80 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
30 шт · Склад 13 · 775,20 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от Vishay. Работает при напряжении до 40 В и токе до 4,3 А, выпускается в компактном корпусе SOT23-3. Подходит для применения в цепях управления питанием и коммутации в бытовой и промышленной электронике.
Технические характеристики
| Макс. сопротивление затвора | 1.4ohm |
| Тип. сопротивление затвора, Rg | 0.7ohm |
| Макс. Tj | 150°C |
| Tj мин. | -55°C |
| Крутизна gfs, мин. | 13S |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Рассеиваемая мощность при 25 °C | 0.96W |
| Pd ta70 | 0.62W |
| Рассеиваемая мощность при 25 °C | 1.7W |
| Pd tc70 | 1.1W |
| Qgd тип. | 0.81nC |
| Qgs тип. | 0.72nC |
| Обратный заряд восстановления Qrr, макс. | 10nC |
| Qrr тип. | 5nC |
| Макс. время обратного восстановления | 20ns |
| Trr тип. | 12ns |
| Макс. Vds | 40V |
| Макс. Vgs | ±12V |
| Vsd макс. | 1.2V |
| VSD тип. | 0.8V |
| Тип. Ciss | 370pF |
| Coss тип. | 50pF |
| Тип. Crss | 17pF |
| Особенности | TrenchFET Power MOSFET, 100% Rg Tested, Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 |
| Igss макс. | ±100nA |
| Тип монтажа | SMD |
| Макс. Tstg | 150°C |
| Мин. Tstg | -55°C |
| Id on min | 10A |
| Ток стока импульсный | 20A |
| Кол-во выводов | 3 |
| Макс. тепловое сопротивление RthJA | 130°C/W |
| Тепловое сопротивление кристалл-среда, тип. | 100°C/W |
| Rthjf max | 75°C/W |
| Rthjf typ | 60°C/W |
| Импульсный ток сток-исток | 20A |
| Технология | TrenchFET Power MOSFET |
| Описание | N-Channel 40V (D-S) MOSFET |
| Артикул | SI2356DS-T1-GE3 |
| Применение | DC/DC Converter, Load Switch, LED Backlighting, Power Management |
| Тип канала | N-канальный |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Код маркировки | E9 |
| Qg max vgs10 | 13nC |
| Qg typ vgs10 | 8.1nC |
| Tf max vgs10 | 12ns |
| Tf typ vgs10 | 6ns |
| Tr max vgs10 | 20ns |
| Tr typ vgs10 | 12ns |
| Информация для заказа | Si2356DS-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free) |
| Qg max vgs4 5 | 5.7nC |
| Qg typ vgs4 5 | 3.8nC |
| Tf max vgs4 5 | 80ns |
| Tf typ vgs4 5 | 53ns |
| Tr max vgs4 5 | 78ns |
| Tr typ vgs4 5 | 52ns |
| Idss max vds40 | 1µA |
| Td on max vgs10 | 12ns |
| Td on typ vgs10 | 6ns |
| Td off max vgs10 | 20ns |
| Td off typ vgs10 | 13ns |
| Td on max vgs4 5 | 20ns |
| Td on typ vgs4 5 | 10ns |
| Td off max vgs4 5 | 27ns |
| Td off typ vgs4 5 | 18ns |
| Напряжение пробоя сток-исток, мин. | 40V |
| Макс. пороговое Vgs | 1.5V |
| Мин. пороговое Vgs | 0.6V |
| Id continuous ta25 | 3.2A |
| Id continuous ta70 | 2.6A |
| Непрерывный ток стока при 25 °C | 4.3A |
| Id continuous tc70 | 3.4A |
| Is continuous ta25 | 0.8A |
| Is continuous tc25 | 1.4A |
| Idss max vds40 tj55 | 10µA |
| Ta reverse recovery | 8.5ns |
| Tb reverse recovery | 3.5ns |
| Vds temp coefficient | 43mV/°C |
| Rds on vgs2 5 id2a max | 0.070ohm |
| Rds on vgs2 5 id2a typ | 0.056ohm |
| Rthja steady state max | 175°C/W |
| Rds on vgs10 id3 2a max | 0.051ohm |
| Rds on vgs10 id3 2a typ | 0.042ohm |
| Vgs th temp coefficient | -3.8mV/°C |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Rds on vgs4 5 id3 1a max | 0.054ohm |
| Rds on vgs4 5 id3 1a typ | 0.045ohm |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?