Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.9A
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
472 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт12,45 ₽
Сумма1 245,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии472 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 100 штюрлицам и ИП
от 173 — 11,62 ₽ (−7%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 245,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 055,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
100 шт · Склад 13 · 1 245,00 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный от Vishay. Рабочее напряжение 30 В, ток до 5.9 А, корпус SOT23-3. Подходит для коммутации нагрузок и управления питанием в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | TO-236 (SOT-23) |
| Описание | P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| Артикул | SI2343CDS-T1-GE3 |
| Применение | Load Switch, Notebook Adaptor Switch, DC/DC Converter |
| Тип канала | P-канал |
| Без галогенов | Да |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Код маркировки | P1 |
| Тип монтажа | SMD |
| Информация для заказа | Si2343CDS-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free) |
| Соотв. RoHS | Да |
| Заряд сток-затвор | 3.2nC |
| Вх. емкость | 590pF |
| Заряд затвор-исток | 2.3nC |
| Выходная емкость | 115pF |
| Макс. Rds(on) при Vgs 10 В | 0.045Ω |
| Сопротивление затвора, макс. | 5Ω |
| Ток утечки затвор-исток | ±100nA |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Макс. Rds(on) при Vgs 4,5 В | 0.075Ω |
| Напряжение сток-исток | -30V |
| Импульсный ток стока | -25A |
| Fall time vgs 10v max | 16ns |
| Rise time vgs 10v max | 20ns |
| Макс. напряжение диода тела | -1.2V |
| Fall time vgs 4 5v max | 16ns |
| Ток стока во включенном состоянии | -25A |
| Rds on vgs 10v typical | 0.037Ω |
| Rise time vgs 4 5v max | 38ns |
| Gate resistance typical | 1Ω |
| Rds on vgs 4 5v typical | 0.062Ω |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Прямая крутизна | 10S |
| Рассеиваемая мощность при 25 °C | 1.25W |
| Рассеиваемая мощность при Ta 70 °C | 0.8W |
| Рассеиваемая мощность при TC 25 °C | 2.5W |
| Power dissipation tc 70c | 1.6W |
| Fall time vgs 10v typical | 8ns |
| Rise time vgs 10v typical | 10ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Body diode voltage typical | -0.8V |
| Fall time vgs 4 5v typical | 8ns |
| Reverse recovery fall time | 10ns |
| Reverse recovery rise time | 7ns |
| Rise time vgs 4 5v typical | 25ns |
| Pulse diode forward current | -25A |
| Gate resistance absolute max | 10Ω |
| Обратная проходная емкость | 93pF |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-23 |
| Общий заряд затвора Vgs 10 В, макс. | 21nC |
| Напряжение пробоя сток-исток | -30V |
| Рабочая температура перехода | -55 to 150°C |
| Общий заряд затвора Vgs 4,5 В, макс. | 11nC |
| Turn on delay time vgs 10v max | 16ns |
| Длительный ток стока при Ta 25 °C | -4.2A |
| Длительный ток стока при Ta 70 °C | -3.3A |
| Непрерывный ток стока при 25 °C | -5.9A |
| Continuous drain current tc 70c | -4.7A |
| Turn off delay time vgs 10v max | 27ns |
| Turn on delay time vgs 4 5v max | 45ns |
| Ток стока при нулевом напряжении затвора | -1µA |
| Turn off delay time vgs 4 5v max | 24ns |
| Пороговое напряжение затвор-исток, макс. | -2.5V |
| Пороговое напряжение затвор-исток, мин. | -1.2V |
| Total gate charge vgs 10v typical | 13.6nC |
| Total gate charge vgs 4 5v typical | 7nC |
| Turn on delay time vgs 10v typical | 8ns |
| Turn off delay time vgs 10v typical | 18ns |
| Turn on delay time vgs 4 5v typical | 30ns |
| Время обратного восстановления диода, макс. | 26ns |
| Turn off delay time vgs 4 5v typical | 16ns |
| Непрерывный ток диода исток-сток | -4.2A |
| Заряд обратного восстановления диода, макс. | 18nC |
| Zero gate voltage drain current tj 55c | -5µA |
| Тепловое сопротивление кристалл-вывод, макс. | 50°C/W |
| Время обратного восстановления диода тип. | 17ns |
| Заряд обратного восстановления диода тип. | 9nC |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 100°C/W |
| Тип. тепловое сопротивление переход-основание | 40°C/W |
| Continuous source drain diode current ta 25c | -1A |
| Continuous source drain diode current tc 25c | -2.1A |
| Gate source threshold voltage temp coefficient | 4.4mV/°C |
| Тип. тепловое сопротивление переход-среда | 75°C/W |
| Drain source breakdown voltage temp coefficient | -19mV/°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда, установившийся режим | 166°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?