Документация
Транзисторы и сборки MOSFET SI2337DS-T1-GE3
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
3 980 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт139,93 ₽
Сумма1 399,30 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии3 980 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 10 штюрлицам и ИП
от 16 — 130,62 ₽ (−7%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 399,30 ₽. До заказа без доплаты не хватает 15 900,70 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
10 шт · Склад 13 · 1 399,30 ₽
Описание
Транзистор MOSFET SI2337DS-T1-GE3 производства Vishay представляет собой P-канальный силовой ключ. Компонент предназначен для коммутации нагрузок и управления питанием в компактных устройствах. Отличается низким сопротивлением открытого канала и оптимизирован для поверхностного монтажа.
Технические характеристики
| Тип | MOSFET |
| Ток, А | 3.7 А |
| Корпус | SOT-23 (TO-236) |
| Тип монтажа | SMD |
| Технология | TrenchFET power MOSFET |
| Описание | P-Channel 80-V (D-S) MOSFET |
| Артикул | SI2337DS-T1-GE3 |
| Тип канала | P-канал |
| Код маркировки | E7 |
| Сопротивление затвора | 4.8Ω |
| Fall time vgs 6v | 18ns |
| Rise time vgs 6v | 27ns |
| Мощность, Вт | 1,25 |
| Лавинный ток | 11A |
| Fall time vgs 10v | 23ns |
| Заряд сток-затвор | 3.2nC |
| Вх. емкость | 500pF |
| Rise time vgs 10v | 23ns |
| Напряжение встроенного диода | -0.8 to -1.2V |
| Заряд затвор-исток | 2.1nC |
| Выходная емкость | 40pF |
| Ток утечки затвор-исток | ±100nA |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Напряжение сток-исток | -80V |
| Импульсный ток стока | -7A |
| Напряжение, В | 30 В |
| Ток стока во включенном состоянии | -7A |
| Прямая крутизна | 4.3S |
| Рассеиваемая мощность при 25 °C | 0.76W |
| Рассеиваемая мощность при Ta 70 °C | 0.48W |
| Рассеиваемая мощность при TC 25 °C | 2.5W |
| Power dissipation tc 70c | 1.6W |
| Total gate charge vgs 6v | 11nC |
| Диап. темп. хр. | -50 to +150°C |
| Общий заряд затвора Vgs 10 В | 17nC |
| Turn on delay time vgs 6v | 23ns |
| Reverse recovery fall time | 25ns |
| Reverse recovery rise time | 5ns |
| Пиковая температура пайки | 260°C |
| Turn off delay time vgs 6v | 30ns |
| Turn on delay time vgs 10v | 15ns |
| Pulse diode forward current | -7A |
| Turn off delay time vgs 10v | 30ns |
| Обратная проходная емкость | 25pF |
| Пороговое напряжение затвор-исток | -2 to -4V |
| Энергия одиноч. импульса | 6mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | -80V |
| Рабочая температура перехода | -50 to +150°C |
| Длительный ток стока при Ta 25 °C | -1.2A |
| Длительный ток стока при Ta 70 °C | -0.96A |
| Непрерывный ток стока при 25 °C | -2.2A |
| Continuous drain current tc 70c | -1.75A |
| Ток стока при нулевом напряжении затвора | -1µA |
| Время обратного восстановления диода | 45ns |
| Заряд обратного восстановления диода | 70nC |
| Ток стока при нулевом напряжении затвора, 55 °C | -10µA |
| Drain source on state resistance vgs 6v | 0.303Ω |
| Drain source on state resistance vgs 10v | 0.270Ω |
| Тепловое сопротивление переход-среда, 10 с | 166°C/W |
| Continuous source drain diode current ta 25c | -0.63A |
| Continuous source drain diode current tc 25c | -2.1A |
| Gate source threshold voltage temp coefficient | 5.45mV/°C |
| Drain source breakdown voltage temp coefficient | -35.8mV/°C |
| Thermal resistance junction to foot steady state | 50°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?