Документация
Транзистор SI2319CDS-T1-GE3
У поставщика
У поставщиков
730 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт75,52 ₽
Сумма755,20 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии730 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 10 штюрлицам и ИП
от 48 — 70,45 ₽ (−7%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 755,20 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 544,80 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
10 шт · Склад 13 · 755,20 ₽
Описание
Транзистор SI2319CDS-T1-GE3 от Vishay — это P-канальный полевой MOSFET. Компонент рассчитан на ток до 4,5 А и напряжение сток-исток 20 В, выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для управления нагрузкой и коммутации в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | полевые (FETs, MOSFETs) |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Кол-во выводов | 3 |
| Описание | P-Channel 40 V (D-S) MOSFET |
| Артикул | SI2319CDS-T1-GE3 |
| Применение | Load Switch, DC/DC Converter |
| Тип канала | P-канал |
| Без галогенов | Да |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Код маркировки | P7 |
| Соотв. RoHS | Да |
| Заряд сток-затвор | 3.2nC |
| Вх. емкость | 595pF |
| Заряд затвор-исток | 2.5nC |
| Выходная емкость | 76pF |
| Макс. Rds(on) при Vgs 10 В | 0.077Ω |
| Rds(on) при Vgs 10 В, тип. | 0.064Ω |
| Сопротивление затвора, макс. | 8.6Ω |
| Тип. сопротивление затвора | 0.8Ω |
| Ток утечки затвор-исток | ±100nA |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Макс. Rds(on) при Vgs 4,5 В | 0.108Ω |
| Тип. RDS(on) при VGS 4,5 В | 0.090Ω |
| Напряжение сток-исток | -40V |
| Импульсный ток стока | -20A |
| Fall time vgs 10v max | 16ns |
| Fall time vgs 10v typ | 8ns |
| Rise time vgs 10v max | 18ns |
| Rise time vgs 10v typ | 9ns |
| Макс. напряжение диода тела | -1.2V |
| Body diode voltage typ | -0.8V |
| Fall time vgs 4 5v max | 20ns |
| Fall time vgs 4 5v typ | 10ns |
| Ток стока во включенном состоянии | -20A |
| Rise time vgs 4 5v max | 41ns |
| Rise time vgs 4 5v typ | 27ns |
| Прямая крутизна | 10S |
| Рассеиваемая мощность при 25 °C | 1.25W |
| Рассеиваемая мощность при Ta 70 °C | 0.8W |
| Рассеиваемая мощность при TC 25 °C | 2.5W |
| Power dissipation tc 70c | 1.6W |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Reverse recovery fall time | 10ns |
| Reverse recovery rise time | 7ns |
| Обратная проходная емкость | 61pF |
| Общий заряд затвора Vgs 10 В, макс. | 21nC |
| Общий заряд затвора Vgs 10 В, тип. | 13.6nC |
| Напряжение пробоя сток-исток | -40V |
| Рабочая температура перехода | -55 to 150°C |
| Общий заряд затвора Vgs 4,5 В, макс. | 11nC |
| Общий заряд затвора Vgs 4,5 В, тип. | 7nC |
| Turn on delay time vgs 10v max | 16ns |
| Turn on delay time vgs 10v typ | 8ns |
| Длительный ток стока при Ta 25 °C | -3.1A |
| Длительный ток стока при Ta 70 °C | -2.5A |
| Непрерывный ток стока при 25 °C | -4.4A |
| Continuous drain current tc 70c | -3.5A |
| Turn off delay time vgs 10v max | 30ns |
| Turn off delay time vgs 10v typ | 20ns |
| Turn on delay time vgs 4 5v max | 60ns |
| Turn on delay time vgs 4 5v typ | 40ns |
| Turn off delay time vgs 4 5v max | 27ns |
| Turn off delay time vgs 4 5v typ | 18ns |
| Пороговое напряжение затвор-исток, макс. | -2.5V |
| Пороговое напряжение затвор-исток, мин. | -1.2V |
| Ток стока при нулевом напряжении затвора, 25 °C | -1µA |
| Ток стока при нулевом напряжении затвора, 55 °C | -5µA |
| Время обратного восстановления диода, макс. | 26ns |
| Тип. время восстановления диода | 17ns |
| Заряд обратного восстановления диода, макс. | 18nC |
| Тип. заряд восстановления диода | 9nC |
| Тепловое сопротивление кристалл-вывод, макс. | 50°C/W |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 100°C/W |
| Тип. тепловое сопротивление переход-основание | 40°C/W |
| Continuous source drain diode current ta 25c | -1A |
| Continuous source drain diode current tc 25c | -2.1A |
| Gate source threshold voltage temp coefficient | 4.8mV/°C |
| Тип. тепловое сопротивление переход-среда | 75°C/W |
| Drain source breakdown voltage temp coefficient | -40mV/°C |
| Thermal resistance junction to ambient steady state max | 166°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?