Документация
Транзистор SI2319CDS-T1-GE3-VB
У поставщика
У поставщиков
4 500 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:4 500 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 10000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 9,32 |
| от 1 000 | 5,98 |
| от 10 000 | 5,53 |
Описание
Транзистор полевой (MOSFET) от производителя VBSEMI. Представляет собой P-канальный компонент, предназначенный для коммутации и управления нагрузкой в цепях постоянного тока. Отличается низким сопротивлением открытого канала и оптимизирован для применения в компактных устройствах, где важна энергоэффективность.
Технические характеристики
| Корпус | SOT-23 (TO-236) |
| Тип монтажа | SMD |
| Размеры | 2.80-3.04mm x 2.10-2.64mm x 0.89-1.12mm |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Вх. емкость | 1295pF |
| On resistance typ | 0.046Ω at VGS=-10V, 0.049Ω at VGS=-6V, 0.054Ω at VGS=-4.5V |
| Рассеиваемая мощность | 2.5W |
| Темп. диапазон | -55°C to 150°C |
| Полный заряд затвора | 24nC at VGS=-10V; 11.4nC at VGS=-4.5V |
| Body diode voltage | -0.8V to -1.2V |
| Выходная емкость | 150pF |
| Структура | P-канал |
| Gate resistance typ | 7.7Ω |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Напряжение сток-исток | -30V |
| Импульсный ток стока | -18A |
| Время обратного восстановления | 15ns |
| Continuous drain current | -5.6A |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -2.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -0.5V |
| Обратная проходная емкость | 130pF |
| Continuous source drain diode current | -2.1A |
| Thermal resistance junction to foot max | 50°C/W |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 100°C/W (t≤5s), 166°C/W (steady state) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.6 |