Документация
Транзистор SI2319CDS-T1-GE3-VB
У поставщика
У поставщиков
16 848 шт.
Норм. уп.: 1000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 39срок до недели
Цена за шт9,12 ₽
Сумма912,00 ₽
В наличии12 348 шт
от 100 штюрлицам и ИП
от 425 — 7,72 ₽ (−15%)
100 шт · Склад 39 · 912,00 ₽
Описание
Транзистор полевой (MOSFET) от производителя VBSEMI. Представляет собой P-канальный компонент, предназначенный для коммутации и управления нагрузкой в цепях постоянного тока. Отличается низким сопротивлением открытого канала и оптимизирован для применения в компактных устройствах, где важна энергоэффективность.
Технические характеристики
| Корпус | SOT-23 (TO-236) |
| Тип монтажа | SMD |
| Размеры | 2.80-3.04mm x 2.10-2.64mm x 0.89-1.12mm |
| Вх. емкость | 1295pF |
| Сопротивление во включенном состоянии, тип. | 0.046Ω at VGS=-10V, 0.049Ω at VGS=-6V, 0.054Ω at VGS=-4.5V |
| Рассеиваемая мощность | 2.5W |
| Темп. диапазон | -55°C to 150°C |
| Полный заряд затвора | 24nC at VGS=-10V; 11.4nC at VGS=-4.5V |
| Напряжение встроенного диода | -0.8V to -1.2V |
| Выходная емкость | 150pF |
| Структура | P-канал |
| Тип. сопротивление затвора | 7.7Ω |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Напряжение сток-исток | -30V |
| Импульсный ток стока | -18A |
| Время обратного восстановления | 15ns |
| Непрерывный ток стока | -5.6A |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -2.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -0.5V |
| Обратная проходная емкость | 130pF |
| Непрерывный ток диода исток-сток | -2.1A |
| Тепловое сопротивление кристалл-вывод, макс. | 50°C/W |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 100°C/W (t≤5s), 166°C/W (steady state) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.6 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?