Документация
Транзистор SI2318CDS-T1-GE3
У поставщика
У поставщиков
4 019 шт.
Норм. уп.: 100
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт44,14 ₽
Сумма882,80 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии3 969 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 20 штюрлицам и ИП
от 45 — 40,48 ₽ (−8%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 882,80 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 417,20 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
20 шт · Склад 13 · 882,80 ₽
Описание
Транзистор SI2318CDS-T1-GE3 от Vishay — это N-Channel MOSFET в компактном корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Ключевые параметры: напряжение сток-исток 40 В, импульсный ток до 20 А и низкое сопротивление открытого канала 0,042 Ом при 10 В на затворе. Компонент выполнен по технологии TrenchFET, не содержит галогенов и соответствует стандарту RoHS. Применяется в цепях управления питанием, DC/DC-преобразователях и портативной электронике.
Технические характеристики
| Тип | N-канальный MOSFET |
| Макс. сопротивление затвора | 6.6Ω |
| Мин. сопротивление затвора | 0.6Ω |
| Тип. сопротивление затвора, Rg | 3.3Ω |
| Макс. Tj | 150°C |
| Tj мин. | -55°C |
| Gfs тип. | 17S |
| Маркировка | P9 |
| Корпус | SOT-23 |
| Qgd тип. | 0.9nC |
| Qgs тип. | 1.1nC |
| Макс. Vds | 40V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Тип. Ciss | 340pF |
| Coss тип. | 60pF |
| Тип. Crss | 30pF |
| Особенности | Halogen-free, RoHS compliant, TrenchFET Power MOSFET |
| Тип монтажа | SMD |
| Макс. Tstg | 150°C |
| Мин. Tstg | -55°C |
| Compliant | RoHS, Halogen-free |
| Макс. тепловое сопротивление RthJA | 100°C/W (t≤5s) |
| Тепловое сопротивление кристалл-среда, тип. | 80°C/W |
| Rthjf max | 60°C/W |
| Rthjf typ | 40°C/W |
| Технология | TrenchFET Power MOSFET |
| Артикул | SI2318CDS-T1-GE3 |
| Применение | DC/DC Converters, Load Switch, Portable and Consumer Applications |
| Код маркировки | P9 |
| Pd max ta25c | 1.25W |
| Pd max tc25c | 2.1W |
| Макс. импульсный ток стока | 20A |
| Соотв. RoHS | Да |
| T f vgs10v typ | 8ns |
| T r vgs10v typ | 20ns |
| Vds temp coeff | 39mV/°C |
| Сопротивление затвора | 3.3Ω |
| Краткое описание | N-Channel 40 V (D-S) MOSFET |
| T f vgs4 5v typ | 8ns |
| T r vgs4 5v typ | 50ns |
| Макс. непрерывный ток стока | 5.6A at TC=25°C |
| Вх. емкость | 340pF |
| Rds on vgs10v max | 0.042Ω |
| T d on vgs10v typ | 7ns |
| ТКС напряжения затвор-исток | -4.7mV/°C |
| Макс. пороговое Vgs | 2.5V |
| Мин. пороговое Vgs | 1.2V |
| Выходная емкость | 60pF |
| Qrr body diode max | 14nC |
| Qrr body diode typ | 7nC |
| Rds on vgs4 5v max | 0.051Ω |
| T d off vgs10v typ | 14ns |
| T d on vgs4 5v typ | 12ns |
| Trr body diode max | 23ns |
| Trr body diode typ | 15ns |
| Структура | N-канал |
| Сопротивление затвора, макс. | 6.6Ω |
| Сопротивление затвора, мин. | 0.6Ω |
| Тип. сопротивление затвора | 3.3Ω |
| Qg total typ vgs10v | 5.8nC |
| T d off vgs4 5v typ | 10ns |
| V sd body diode max | 1.2V |
| V sd body diode typ | 0.85V |
| Feature halogen free | Да |
| Импульсный ток стока | 20A |
| Qg total typ vgs4 5v | 2.9nC |
| Напряжение сток-исток | 40V |
| Тип. входная емкость | 340pF |
| Сопротивление открытия, VGS 10 В | 0.042Ω |
| Пороговое напряжение, макс. | 2.5V |
| Пороговое напряжение, мин. | 1.2V |
| Сопротивление во включённом состоянии при Vgs 4,5 В | 0.051Ω |
| Выходная емкость тип. | 60pF |
| Rthja steady state max | 125°C/W |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Макс. напряжение затвор-исток | ±20V |
| Прямая крутизна | 17S |
| Рассеиваемая мощность при 25 °C | 1.25W |
| Рассеиваемая мощность при Ta 70 °C | 0.8W |
| Рассеиваемая мощность при TC 25 °C | 2.1W |
| Power dissipation tc 70c | 1.3W |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Общий заряд затвора Vgs 10 В | 5.8nC |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Общий заряд затвора Vgs 4,5 В | 2.9nC |
| Drain source voltage rating | 40V |
| Рассеиваемая мощность при Ta 25 °C | 1.25W |
| Рассеиваемая мощность при Tc 25 °C | 2.1W |
| Тип. прямая крутизна | 17S |
| Обратная проходная емкость | 30pF |
| Прямое напряжение диода, макс. | 1.2V |
| Прямое напряжение диода, тип. | 0.85V |
| Длительный ток стока при Ta 25 °C | 4.3A |
| Длительный ток стока при Ta 70 °C | 3.5A |
| Непрерывный ток стока при 25 °C | 5.6A |
| Continuous drain current tc 70c | 4.5A |
| Обр. проходная емкость тип. | 30pF |
| Total gate charge at vgs 10v max | 9nC |
| Total gate charge at vgs 10v typ | 5.8nC |
| Total gate charge at vgs 4 5v max | 6nC |
| Total gate charge at vgs 4 5v typ | 2.9nC |
| Continuous drain current at ta 25c | 4.3A |
| Continuous drain current at tc 25c | 5.6A |
| Время обратного восстановления диода, макс. | 23ns |
| Тип. время восстановления диода | 15ns |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to 150°C |
| Заряд обратного восстановления диода, макс. | 14nC |
| Тип. заряд восстановления диода | 7nC |
| Тепловое сопротивление кристалл-вывод, макс. | 60°C/W |
| Continuous source diode current at ta 25c | 1.04A |
| Continuous source diode current at tc 25c | 1.75A |
| Drain source on resistance at vgs 10v max | 0.042Ω |
| Drain source on resistance at vgs 10v typ | 0.035Ω |
| Drain source on resistance at vgs 4 5v max | 0.051Ω |
| Drain source on resistance at vgs 4 5v typ | 0.041Ω |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 100°C/W |
| Тип. тепловое сопротивление переход-основание | 40°C/W |
| Тип. тепловое сопротивление переход-среда | 80°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient max t leq 5s | 100°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда, установившийся режим | 125°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.1 |
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
Заметили ошибку в описании или параметрах?