Документация
Транзистор полевой Si2312BDS-T1-GE3
У поставщика
У поставщиков
5 538 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт22,20 ₽
Сумма1 110,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии5 538 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 50 штюрлицам и ИП
от 53 — 21,40 ₽ (−4%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 110,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 190,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
50 шт · Склад 13 · 1 110,00 ₽
Описание
Полевой транзистор (MOSFET) Si2312BDS-T1-GE3 от Vishay представляет собой N-канальный компонент, предназначенный для поверхностного монтажа. Эта модель оптимизирована для работы в цепях с низким напряжением и отличается малым сопротивлением открытого канала. Транзистор широко применяется в схемах управления питанием, DC/DC-преобразователях и нагрузочных коммутаторах, обеспечивая высокую эффективность переключения.
Технические характеристики
| Шаг | 0.95mm |
| Корпус | TO-236 (SOT-23) |
| Тип монтажа | SMD |
| Без свинца | Да |
| Размах выводов | 1.90mm |
| Кол-во выводов | 3 |
| Технология | TrenchFET Power MOSFET |
| Описание | N-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
| Артикул | Si2312BDS-T1-GE3 |
| Тип канала | N-канальный |
| Без галогенов | Да |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Код маркировки | M2 |
| Макс. время спада | 15ns |
| Тип. время спада | 10ns |
| Макс. время нарастания | 45ns |
| Тип. время нарастания | 30ns |
| Соотв. RoHS | Да |
| Ширина | 2.10 to 2.64mm |
| Лавинный ток | 13A |
| Высота | 0.89 to 1.12mm |
| Длина | 2.80 to 3.04mm |
| Ток утечки затвор-подложка | ±100nA |
| Заряд сток-затвор | 1.2nC |
| Вх. емкость | 1000pF |
| Заряд затвор-исток | 1.4nC |
| Выходная емкость | 200pF |
| Сопротивление затвора, макс. | 3.3Ω |
| Тип. сопротивление затвора | 1.1Ω |
| Напряжение затвор-исток | ±8V |
| Напряжение сток-исток | 20V |
| Импульсный ток стока | 15A |
| Заряд затвора макс. | 12nC |
| Тип. заряд затвора | 7.5nC |
| Ток стока во включенном состоянии | 15A |
| Время вкл. макс. | 15ns |
| Время задержки вкл. тип. | 9ns |
| Single avalanche energy | 8.45mJ |
| Макс. время выключения | 55ns |
| Время задержки выкл. тип. | 35ns |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Прямая крутизна | 30S |
| Power dissipation 25c 5s | 1.25W |
| Power dissipation 70c 5s | 0.80W |
| Напр. диода макс. | 1.2V |
| Тип. прямое напряжение диода | 0.8V |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 0.85V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 0.45V |
| Обратная проходная емкость | 100pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 |
| Напряжение пробоя сток-исток | 20V |
| Рабочая температура перехода | -55 to 150°C |
| Continuous drain current 25c 5s | 5.0A |
| Continuous drain current 70c 5s | 4.0A |
| Continuous source current 25c 5s | 1.0A |
| Power dissipation 25c steady state | 0.75W |
| Power dissipation 70c steady state | 0.48W |
| Ток стока при нулевом напряжении затвора, 25 °C | 1µA |
| Zero gate voltage drain current 70c | 75µA |
| Заряд обратного восстановления диода, макс. | 7nC |
| Тип. заряд восстановления диода | 4.5nC |
| Макс. время обратного восстановления | 25ns |
| Source drain reverse recovery time typ | 13ns |
| Drain source on resistance vgs 1 8v max | 0.047Ω |
| Drain source on resistance vgs 1 8v typ | 0.036Ω |
| Drain source on resistance vgs 2 5v max | 0.037Ω |
| Drain source on resistance vgs 2 5v typ | 0.030Ω |
| Drain source on resistance vgs 4 5v max | 0.031Ω |
| Тип. сопротивление открытого сток-исток, Vgs 4,5 В | 0.025Ω |
| Continuous drain current 25c steady state | 3.9A |
| Continuous drain current 70c steady state | 3.1A |
| Continuous source current 25c steady state | 0.63A |
| Thermal resistance junction to ambient 5s max | 100°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient 5s typical | 80°C/W |
| Thermal resistance junction to foot steady state max | 60°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient steady state max | 166°C/W |
| Thermal resistance junction to foot steady state typical | 50°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient steady state typical | 120°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?