Документация
Транзисторы и сборки MOSFET SI2309CDS-T1-GE3
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
7 735 шт.
Норм. уп.: 100
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 39срок до недели
Цена за шт15,68 ₽
дешевле всех
Сумма784,00 ₽
В наличии2 168 шт
от 50 штюрлицам и ИП
Склад 13срок до недели
Цена за шт21,91 ₽
Сумма1 095,50 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии4 677 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 50 штюрлицам и ИП
от 94 — 19,71 ₽ (−10%)
50 шт · Склад 39 · 784,00 ₽
Описание
Транзистор SI2309CDS-T1-GE3 производства Vishay представляет собой P-канальный MOSFET. Компонент выполнен в компактном корпусе для поверхностного монтажа. Предназначен для применения в цепях управления питанием и коммутации нагрузки, обеспечивая эффективное переключение при низких напряжениях.
Технические характеристики
| Тип | P-канальный MOSFET |
| Тип | MOSFET |
| Ток, А | -1.9 А |
| Корпус | TO-236 (SOT-23) |
| Макс. Vds | -60V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Особенности | TrenchFET Power MOSFET, Halogen-free option |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | P-канал |
| Время спада | 10ns (VGS=-4.5V), 10ns (VGS=-10V) |
| Ток стока импульсный | 8A |
| Время нарастания | 35ns (VGS=-4.5V), 10ns (VGS=-10V) |
| Описание | P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
| Артикул | Si2309CDS-T1-GE3 |
| Применение | Load Switch |
| Без галогенов | Да |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Код маркировки | N9 |
| Rds on vgs10 | 0.345Ω |
| Ias avalanche | 5A |
| Rds on vgs4 5 | 0.450Ω |
| Соотв. RoHS | Да |
| Сопротивление затвора | 7Ω |
| Мощность, Вт | 1,25 |
| Заряд сток-затвор | 1.2nC |
| Вх. емкость | 210pF |
| Полный заряд затвора | 2.7nC typical, 4.1nC max |
| Макс. пороговое Vgs | -3V |
| Мин. пороговое Vgs | -1V |
| Напряжение встроенного диода | -0.8V typical, -1.2V max |
| Заряд затвор-исток | 0.8nC |
| Id continuous ta25 | 1.2A |
| Id continuous ta70 | 1.0A |
| Непрерывный ток стока при 25 °C | 1.6A |
| Id continuous tc70 | 1.3A |
| Выходная емкость | 28pF |
| Размеры упаковки | Макс. высота: 1.12mm; Высота, мин.: 0.89mm; Шаг выводов: 0.95mm; Макс. ширина корпуса: 2.64mm; Мин. ширина корпуса: 2.10mm; Макс. длина корпуса: 3.04mm; Мин. длина корпуса: 2.80mm |
| Время задержки включения | 40ns (VGS=-4.5V), 5ns (VGS=-10V) |
| Ток утечки затвор-исток | 100nA |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 15ns (VGS=-4.5V), 15ns (VGS=-10V) |
| Напряжение сток-исток | -60V |
| Импульсный ток стока | -8A |
| Напряжение, В | -60 В |
| Общий заряд затвора, макс. | 4.1nC |
| Общий заряд затвора, тип. | 2.7nC |
| Ток стока во включенном состоянии | -6A |
| Рассеиваемая мощность при 25 °C | 1.0W |
| Рассеиваемая мощность при Ta 70 °C | 0.67W |
| Рассеиваемая мощность при 25 °C | 1.7W |
| Рассеиваемая мощность при Tc 70 °C | 1.1W |
| Switching fall time 10v | 10ns |
| Switching rise time 10v | 10ns |
| Непрерывный ток стока | -1.6A (TC=25°C), -1.3A (TC=70°C), -1.2A (TA=25°C), -1.0A (TA=70°C) |
| Ток утечки сток-исток 25°C | 1µA |
| Drain source leakage 55c | 10µA |
| Прямая крутизна | 2.8S |
| Is diode continuous ta25 | 0.9A |
| Is diode continuous tc25 | 1.4A |
| Switching fall time 4 5v | 10ns |
| Switching rise time 4 5v | 35ns |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1.7W (TC=25°C), 1.1W (TC=70°C), 1.0W (TA=25°C), 0.67W (TA=70°C) |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to 150°C |
| Reverse recovery fall time | 18ns |
| Reverse recovery rise time | 12ns |
| Пиковая температура пайки | 260°C |
| Switching turn on delay 10v | 5ns |
| Обратная проходная емкость | 20pF |
| Switching turn off delay 10v | 15ns |
| Switching turn on delay 4 5v | 40ns |
| Пороговое напряжение затвор-исток | -1V to -3V |
| Switching turn off delay 4 5v | 15ns |
| Прямое напряжение диода, макс. | 1.2V |
| Прямое напряжение диода корпуса, мин. | 0.8V |
| Напряжение пробоя сток-исток | -60V |
| Ток лавинного пробоя одиночного импульса | -5A |
| Ток стока при нулевом напряжении затвора | -1µA (VDS=-60V), -10µA (TJ=55°C) |
| Время обратного восстановления диода | 30ns typical, 60ns max |
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии | 0.285Ω typical, 0.345Ω max at VGS=-10V, ID=-1.25A; 0.360Ω typical, 0.450Ω max at VGS=-4.5V, ID=-1.0A |
| Заряд обратного восстановления диода | 33nC typical, 60nC max |
| Тепловое сопротивление переход-основание | 58°C/W typical, 73°C/W maximum |
| Время обратного восстановления диода, макс. | 60ns |
| Тип. время восстановления диода | 30ns |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to 150°C |
| Непрерывный ток диода исток-сток | -1.4A (TC=25°C), -0.9A (TA=25°C) |
| Заряд обратного восстановления диода, макс. | 60nC |
| Тип. заряд восстановления диода | 33nC |
| Термосопротивление переход-среда | 92°C/W typical, 120°C/W maximum (t≤5s), 166°C/W maximum steady state |
| Тепловое сопротивление кристалл-вывод, макс. | 73°C/W |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 120°C/W |
| Тип. тепловое сопротивление переход-основание | 58°C/W |
| Тип. тепловое сопротивление переход-среда | 92°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?