Документация
Транзисторы и сборки MOSFET SI2308BDS-T1-GE3
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
4 418 шт.
Норм. уп.: 50
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 39срок до недели
Цена за шт48,48 ₽
Сумма727,20 ₽
В наличии3 680 шт
от 15 штюрлицам и ИП
от 82 — 44,19 ₽ (−9%)
Склад 13срок до недели
Цена за шт—
Сумма—
В наличии729 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 30 штюрлицам и ИП
продаётся от 30 штпри 30 — 25,25 ₽
15 шт · Склад 39 · 727,20 ₽
Описание
Транзистор MOSFET SI2308BDS-T1-GE3 производства Vishay — это N-канальный полевой транзистор, предназначенный для коммутации и управления нагрузкой. Компонент отличается низким сопротивлением открытого канала и высокой эффективностью переключения, что делает его подходящим для компактных схем питания и DC/DC-преобразователей. Устройство выпускается в миниатюрном корпусе для поверхностного монтажа, что упрощает интеграцию в современную портативную электронику.
Технические характеристики
| Напряжение сток-исток | 60V |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| RoHS | Да |
| Тип | N-канальный MOSFET |
| Тип | MOSFET |
| Ток, А | 2.3 А |
| Корпус | TO-236 (SSOT23) |
| Тип монтажа | SMD |
| Ток стока импульсный | 8A |
| Импульсный ток истока | 8A |
| Rds(on) при 10 В | 0.156Ω |
| Описание | N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
| Артикул | SI2308BDS-T1-GE3 |
| RDS(on) при 4.5 В | 0.192Ω |
| Тип канала | N-канальный |
| Без галогенов | Да |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Код маркировки | L8 |
| Температура хранения | -55°C to 150°C |
| Fall time 10v | 10.5ns |
| Информация для заказа | SI2308BDS-T1-GE3 |
| Rise time 10v | 15ns |
| Пороговое напряжение затвор-исток | 1V to 3V |
| Fall time 4 5v | 17ns |
| Rise time 4 5v | 24ns |
| Соотв. RoHS | Да |
| Сопротивление затвора | 2.8Ω |
| Энергия лавины | 1.8mJ |
| Мощность, Вт | 1,25 |
| Лавинный ток | 6A |
| Заряд сток-затвор | 1nC |
| Вх. емкость | 190pF |
| Напряжение встроенного диода | 1.2V |
| Заряд затвор-исток | 0.8nC |
| Id continuous ta25 | 1.9A |
| Id continuous ta70 | 1.5A |
| Непрерывный ток стока при 25 °C | 2.3A |
| Id continuous tc70 | 1.8A |
| Is continuous ta25 | 1.13A |
| Is continuous tc25 | 1.39A |
| Выходная емкость | 26pF |
| Сопротивление затвора, макс. | 5.6Ω |
| Сопротивление затвора, мин. | 0.6Ω |
| Тип. сопротивление затвора | 2.8Ω |
| Ток утечки затвор-исток | ±100nA |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Напряжение сток-исток | 60V |
| Импульсный ток стока | 8A |
| Напряжение, В | 60 В |
| Fall time vgs 10v max | 10.5ns |
| Fall time vgs 10v typ | 7ns |
| Rise time vgs 10v max | 15ns |
| Rise time vgs 10v typ | 10ns |
| Total gate charge 10v | 6.8nC |
| Макс. напряжение диода тела | 1.2V |
| Body diode voltage typ | 0.8V |
| Fall time vgs 4 5v max | 17ns |
| Fall time vgs 4 5v typ | 11ns |
| Ток стока во включенном состоянии | 8A |
| Рассеиваемая мощность при 25 °C | 1.09W |
| Рассеиваемая мощность при Ta 70 °C | 0.7W |
| Рассеиваемая мощность при 25 °C | 1.66W |
| Рассеиваемая мощность при Tc 70 °C | 1.06W |
| Rise time vgs 4 5v max | 24ns |
| Rise time vgs 4 5v typ | 16ns |
| Total gate charge 4 5v | 3.5nC |
| Turn on delay time 10v | 6ns |
| Рабочая температура перехода | -55°C to 150°C |
| Turn off delay time 10v | 15ns |
| Turn on delay time 4 5v | 23ns |
| Прямая крутизна | 5S |
| Рассеиваемая мощность при 25 °C | 1.0W |
| Рассеиваемая мощность при Ta 70 °C | 0.7W |
| Рассеиваемая мощность при TC 25 °C | 1.66W |
| Power dissipation tc 70c | 1.06W |
| Turn off delay time 4 5v | 17ns |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 3V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1V |
| Диап. раб. темп. | -55°C to 150°C |
| Обратная проходная емкость | 15pF |
| Gate charge total vgs 10v max | 6.8nC |
| Gate charge total vgs 10v typ | 4.5nC |
| Gate charge total vgs 4 5v max | 3.5nC |
| Gate charge total vgs 4 5v typ | 2.3nC |
| Turn on delay time vgs 10v max | 6ns |
| Turn on delay time vgs 10v typ | 4ns |
| Длительный ток стока при Ta 25 °C | 1.9A |
| Длительный ток стока при Ta 70 °C | 1.5A |
| Непрерывный ток стока при 25 °C | 2.3A |
| Continuous drain current tc 70c | 1.8A |
| Turn off delay time vgs 10v max | 15ns |
| Turn off delay time vgs 10v typ | 10ns |
| Turn on delay time vgs 4 5v max | 23ns |
| Turn on delay time vgs 4 5v typ | 15ns |
| Ток стока при нулевом напряжении затвора | 1µA |
| Время обратного восстановления диода | 23ns |
| Тепловое сопротивление кристалл-вывод | 75°C/W |
| Turn off delay time vgs 4 5v max | 17ns |
| Turn off delay time vgs 4 5v typ | 11ns |
| Заряд обратного восстановления диода | 15nC |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 115°C/W |
| Время обратного восстановления диода, макс. | 23ns |
| Тип. время восстановления диода | 15ns |
| Заряд обратного восстановления диода, макс. | 15nC |
| Тип. заряд восстановления диода | 10nC |
| Drain source on resistance vgs 10v max | 0.156Ω |
| Тип. сопротивление открытого сток-исток, Vgs 10 В | 0.130Ω |
| Drain source on resistance vgs 4 5v max | 0.192Ω |
| Тип. сопротивление открытого сток-исток, Vgs 4,5 В | 0.160Ω |
| Тепловое сопротивление кристалл-вывод, макс. | 75°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient 5s max | 115°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient steady state max | 130°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?