Документация
SI2308BDS-T1-GE3-VB, Транзистор N-канал 60В 4А [SOT-23-3 / TO-236] аналог для SI2308BDS-T1-GE3
У поставщика
ПроизводительVBSEMI
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
658 шт.
Норм. уп.: 500
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 39срок до недели
Цена за шт27,82 ₽
Сумма556,40 ₽
В наличии338 шт
от 20 штюрлицам и ИП
от 144 — 24,81 ₽ (−11%)
20 шт · Склад 39 · 556,40 ₽
Описание
Транзистор N-канальный MOSFET от VBSEMI, совместимый с SI2308BDS-T1-GE3. Выполнен в корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа, рассчитан на напряжение до 60 В и ток до 4 А (импульсный до 12 А). Подходит для коммутации нагрузки в компактных блоках питания и цепях управления в бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | N-канальный MOSFET |
| Корпус | TO-236 (SOT-23) |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | N-канальный |
| Размеры | Размах выводов: 1.90mm; Макс. высота: 1.12mm; Высота, мин.: 0.89mm; Макс. ширина корпуса: 2.64mm; Мин. ширина корпуса: 2.10mm; Макс. длина корпуса: 3.04mm; Мин. длина корпуса: 2.80mm |
| Сопротивление затвора | 0.6Ω |
| Энергия лавины | 1.8mJ |
| Лавинный ток | 6A |
| Заряд сток-затвор | 1nC |
| Вх. емкость | 180pF |
| Заряд затвор-исток | 0.7nC |
| Выходная емкость | 22pF |
| Структура | N-канал |
| Импульсный ток стока | 12A |
| Fall time at vgs 10v | 7ns |
| Fall time at vgs 4v5 | 11ns |
| Rise time at vgs 10v | 10ns |
| Rise time at vgs 4v5 | 16ns |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1.66W |
| Время обратного восстановления | 15ns |
| Импульсный ток источника | 7A |
| Пороговое напряжение, макс. | 3V |
| Пороговое напряжение, мин. | 1V |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Заряд обратного восстановления | 10nC |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Непрерывный ток стока | 4.0A |
| Макс. напряжение сток-исток | 60V |
| Прямая крутизна | 5S |
| On resistance at vgs 10v | 0.085Ω |
| On resistance at vgs 4v5 | 0.096Ω |
| Макс. раб. темп. | 150°C |
| Мин. раб. темп. | -55°C |
| Непрерывный ток истока | 2.19A |
| Прямое напряжение диода тела | 0.8V |
| Обратная проходная емкость | 13pF |
| Total gate charge at vgs 10v | 4.2nC |
| Total gate charge at vgs 4v5 | 2.1nC |
| Turn on delay time at vgs 10v | 4ns |
| Turn on delay time at vgs 4v5 | 15ns |
| Напряжение пробоя сток-исток | 60V |
| Turn off delay time at vgs 10v | 10ns |
| Turn off delay time at vgs 4v5 | 11ns |
| Drain current continuous ta 25c | 3.1A |
| Drain current continuous ta 70c | 2.5A |
| Drain current continuous tc 70c | 3.4A |
| Тепловое сопротивление кристалл-вывод, макс. | 75°C/W |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 115°C/W |
| Тип. тепловое сопротивление переход-основание | 60°C/W |
| Тип. тепловое сопротивление переход-среда | 90°C/W |
| Gate source threshold voltage temperature coefficient | -5mV/°C |
| Drain source on state resistance temperature coefficient | 0.085Ω at 25°C, 0.096Ω at 4.5V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?