Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.5A
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
3 021 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт21,02 ₽
Сумма1 051,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии3 021 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 50 штюрлицам и ИП
от 92 — 18,94 ₽ (−10%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 051,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 249,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
50 шт · Склад 13 · 1 051,00 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный от Vishay. Рабочее напряжение до 30 В, ток до 3.5 А в компактном корпусе SOT-23-3. Подходит для схем управления питанием и защиты от обратной полярности в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | P-канальный MOSFET |
| Корпус | TO-236 (SOT-23) |
| Особенности | TrenchFET Power MOSFET, Halogen-free option available, Соответствует RoHS |
| Тип монтажа | SMD |
| Размеры | Шаг: 0.95mm (lead pitch), 1.90mm (lead span); Корпус: SOT-23; Ширина корпуса: 2.10mm to 2.64mm; Ширина вывода: 0.35mm to 0.50mm; Высота корпуса: 0.89mm to 1.12mm; Длина корпуса: 2.80mm to 3.04mm; Длина вывода: 0.40mm to 0.60mm |
| Артикул | SI2307CDS-T1-GE3 |
| Применение | Load Switch for Portable Devices |
| Время спада | 17ns (typ), 30ns (max) @VGS=-4.5V; 7.7ns (typ), 15ns (max) @VGS=-10V |
| Код маркировки | N7 |
| Время нарастания | 40ns (typ), 60ns (max) @VGS=-4.5V; 13ns (typ), 25ns (max) @VGS=-10V |
| Сопротивление затвора Rg | 10Ω |
| Рассеиваемая мощность Pd | 1.8W (TC=25°C), 1.14W (TC=70°C), 1.1W (TA=25°C), 0.7W (TA=70°C) |
| Общий заряд затвора (Qg) | 4.1nC (typ), 6.2nC (max) |
| Заряд затвор-сток (Qgd) | 1.8nC |
| Напряжение диода корпуса, В | -0.8V to -1.2V |
| Заряд затвор-исток (Qgs) | 1.3nC |
| Входная ёмкость Ciss | 340pF |
| Напряжение затвор-исток, В | ±20V |
| Выходная ёмкость Coss | 67pF |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Напряжение сток-исток, В | -30V |
| Ток утечки затвор-исток IGSS | ±100nA |
| Импульсный ток стока | -12A |
| Задержка включения (td on) | 40ns (typ), 60ns (max) @VGS=-4.5V; 5.5ns (typ), 10ns (max) @VGS=-10V |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Пиковая температура пайки | 260°C |
| Задержка выключения | 20ns (typ), 40ns (max) @VGS=-4.5V; 17ns (typ), 30ns (max) @VGS=-10V |
| Длительный ток стока | -3.5A (TC=25°C), -2.8A (TC=70°C), -2.7A (TA=25°C), -2.2A (TA=70°C) |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 |
| Пороговое напряжение затвора (Vgs th) | -1V to -3V |
| Drain source on resistance rds on | 0.088Ω @VGS=-10V, ID=-3.5A; 0.138Ω @VGS=-4.5V, ID=-2.5A |
| Обратная проходная ёмкость (Crss) | 51pF |
| Время обратного восстановления диода trr | 17ns (typ), 30ns (max) |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to 150°C |
| Ток стока при нулевом затворе IDSS | -1µA @VDS=-30V, -10µA @TJ=55°C |
| Заряд обратного восстановления диода Qrr | 11nC (typ), 20nC (max) |
| Thermal resistance junction to foot rthjf | 55°C/W (typ), 70°C/W (max) |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 90°C/W (typ), 115°C/W (max) (t≤5s) |
Заметили ошибку в описании или параметрах?