Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 8В 5.8А 0.96Вт
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
2 984 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт8,71 ₽
Сумма871,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии2 984 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 100 штюрлицам и ИП
от 225 — 7,57 ₽ (−13%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 871,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 429,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
100 шт · Склад 13 · 871,00 ₽
Описание
Полевой P-канальный MOSFET от Vishay в компактном корпусе SOT-23. Работает при напряжении до 8 В, выдерживает ток до 5.8 А и мощность рассеивания 0.96 Вт. Подходит для управления нагрузкой в портативных устройствах и цепях защиты от переполюсовки.
Технические характеристики
| Корпус | TO-236 (SOT-23) |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 10ns |
| Время нарастания | 20ns |
| Описание | P-Channel 8 V (D-S) MOSFET |
| Артикул | Si2305CDS-T1-GE3 |
| Без галогенов | Да |
| Код маркировки | N5 |
| Соотв. RoHS | Да |
| Сопротивление затвора | 5.1Ω |
| Заряд сток-затвор | 3.1nC |
| Вх. емкость | 960pF |
| Рассеиваемая мощность | 0.96W |
| Полный заряд затвора | 12nC |
| Заряд затвор-исток | 1.5nC |
| Выходная емкость | 330pF |
| Время задержки включения | 20ns |
| Ток утечки затвор-исток | ±100nA |
| Время задержки выключения | 40ns |
| Напряжение затвор-исток | ±8V |
| Импульсный ток стока | -20A |
| Напряжение сток-исток | -8V |
| Пороговое напряжение затвора | -0.4V to -1V |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Непрерывный ток стока | -5.8A |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Прямое напряжение диода тела | -0.8V |
| Диап. раб. темп. | -55°C to 150°C |
| Обратная проходная емкость | 300pF |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3 |
| Ток стока при нулевом напряжении затвора | -1µA |
| Время обратного восстановления диода | 35ns |
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии | At vgs 1.8V: 0.065Ω; At vgs 2.5V: 0.048Ω; At vgs 4.5V: 0.035Ω |
| Тепловое сопротивление кристалл-вывод | 75°C/W |
| Заряд обратного восстановления диода | 14nC |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 130°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?