Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.3А 1.7Вт
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
57 119 шт.
Норм. уп.: 100
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт11,78 ₽
Сумма1 178,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии56 699 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 100 штюрлицам и ИП
от 101 — 11,09 ₽ (−6%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 178,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 122,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
100 шт · Склад 13 · 1 178,00 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от Vishay. Работает при напряжении до 30 В, выдерживает ток до 3,3 А и мощность 1,7 Вт. Выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для коммутации нагрузок в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| R g | 0.8Ω min, 4.4Ω typ, 8.8Ω max |
| Заряд затвор-сток (Qgd) | 0.65nC typ |
| Заряд затвор-исток (Qgs) | 0.85nC typ |
| Заряд обратного восстановления | 5nC typ, 10nC max |
| Время обратного восстановления, t_rr | 10ns typ, 20ns max |
| Тип | N-канальный MOSFET |
| Напряжение V_SD | 0.8V typ, 1.2V max |
| Входная ёмкость | 235pF typ |
| Выходная ёмкость | 45pF typ |
| Проходная ёмкость | 17pF typ |
| Ток утечки сток-исток (IDSS) | 1µA at 25°C, 10µA at 55°C |
| Корпус | SOT-23 (TO-236) |
| Q g 10v | 4.5nC typ, 6.7nC max |
| Q g 4v5 | 2.1nC typ, 3.2nC max |
| T f 10v | 5ns typ, 10ns max |
| T f 4v5 | 22ns typ, 35ns max |
| T r 10v | 12ns typ, 20ns max |
| T r 4v5 | 50ns typ, 75ns max |
| Тип монтажа | SMD |
| Макс. напряжение сток-исток | 30V |
| Макс. напряжение затвор-исток | ±20V |
| Ток затвор-исток, макс. | ±100nA |
| Кол-во выводов | 3 |
| Соответствие | RoHS, Halogen-free |
| Размеры | Высота, мм: 0.89 to 1.12; Ширина корпуса: 1.50 to 1.70; Шаг выводов, мм: 1.90; Длина корпуса: 2.80 to 3.04 |
| Импульсный ток стока | 15A |
| I s pulsed | 15A |
| T d on 10v | 5ns typ, 10ns max |
| T d on 4v5 | 12ns typ, 20ns max |
| Технология | TrenchFET |
| Описание | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| Артикул | SI2304DDS-T1-GE3 |
| Rds(on) при 10 В | 0.049Ω typ, 0.060Ω max |
| R ds on 4v5 | 0.061Ω typ, 0.075Ω max |
| T d off 10v | 10ns typ, 15ns max |
| T d off 4v5 | 12ns typ, 20ns max |
| Макс. пороговое напряжение затвор-исток | 2.2V |
| Мин. пороговое напряжение затвор-исток | 1.2V |
| Тип канала | N-канальный |
| Без галогенов | Да |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Код маркировки | P4 |
| P d max case | 1.7W |
| Rds on vgs10 | 0.060Ω |
| Rds on vgs4 5 | 0.075Ω |
| Постоянный ток стока | 3.6A |
| Непрерывный ток истока | 1.4A |
| Соотв. RoHS | Да |
| Fall time vgs10 | 10ns |
| Сопротивление затвора | 8.8Ω |
| P d max ambient | 1.1W |
| Rise time vgs10 | 20ns |
| Fall time vgs4 5 | 35ns |
| Rds(on) при Vgs 10 В, тип. | 0.049Ω |
| Rise time vgs4 5 | 75ns |
| Заряд сток-затвор | 0.65nC |
| Вх. емкость | 235pF |
| Rds on vgs4 5 typ | 0.061Ω |
| Темп. диапазон | -55 to 150°C |
| Макс. пороговое Vgs | 2.2V |
| Мин. пороговое Vgs | 1.2V |
| Напряжение встроенного диода | 1.2V |
| Заряд затвор-исток | 0.85nC |
| Выходная емкость | 45pF |
| Структура | N-канал |
| Тип. сопротивление затвора | 4.4Ω |
| Ток утечки затвор-исток | ±100nA |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Темп. хранения | -55 to 150°C |
| Напряжение сток-исток | 30V |
| Импульсный ток стока | 15A |
| Тепловое сопротивление JA | 115°C/W max (t≤5s), 130°C/W steady state |
| Thermal resistance jf | 75°C/W max steady state |
| Body diode voltage typ | 0.8V |
| Ток стока во включенном состоянии | 10A |
| Рассеиваемая мощность при 25 °C | 1.1W |
| Рассеиваемая мощность при Ta 70 °C | 0.7W |
| Рассеиваемая мощность при 25 °C | 1.7W |
| Рассеиваемая мощность при Tc 70 °C | 1.1W |
| Общий заряд затвора, Vgs 10 В | 6.7nC |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Прямая крутизна | 11S |
| Total gate charge vgs4 5 | 3.2nC |
| Turn on delay time vgs10 | 10ns |
| Turn off delay time vgs10 | 15ns |
| Turn on delay time vgs4 5 | 20ns |
| Reverse recovery fall time | 6ns |
| Reverse recovery rise time | 4ns |
| Пиковая температура пайки | 260°C |
| Turn off delay time vgs4 5 | 20ns |
| Total gate charge vgs10 typ | 4.5nC |
| Обратная проходная емкость | 17pF |
| Total gate charge vgs4 5 typ | 2.1nC |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT23 |
| Непрерывный ток стока, Ta 25 °C | 3.3A |
| Непрерывный ток стока, Ta 70 °C | 2.7A |
| Непрерывный ток стока, TC=25°C | 3.6A |
| Длительный ток стока при Tc=70°C | 3.3A |
| Рабочая температура перехода | -55 to 150°C |
| Ток стока при нулевом напряжении затвора | 1µA |
| Время обратного восстановления диода | 20ns |
| Заряд обратного восстановления диода | 10nC |
| Тепловое сопротивление переход-основание | 75°C/W |
| Zero gate voltage drain current tj55 | 10µA |
| Термосопротивление переход-среда | 115°C/W |
| Длительный ток диода сток-исток, 25 °C | 0.9A |
| Длительный ток диода сток-исток, 25 °C | 1.4A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.6 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?