Документация
Транзистор SI2302CDS-T1-GE3
У поставщика
У поставщиков
6 557 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт11,52 ₽
Сумма1 152,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии6 557 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 100 штюрлицам и ИП
от 489 — 10,35 ₽ (−10%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 152,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 148,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
100 шт · Склад 13 · 1 152,00 ₽
Описание
Транзистор SI2302CDS-T1-GE3 от Vishay — это N-канальный полевой MOSFET. Работает при напряжении до 20 В и токе до 2,6 А, имеет низкое сопротивление открытого канала. Выполнен в компактном корпусе SOT-23. Подходит для коммутации нагрузок в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | полевые (FETs, MOSFETs) |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Кол-во выводов | 3 |
| Описание | N-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
| Артикул | SI2302CDS-T1-GE3 |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Код маркировки | N2 |
| Размеры мм | A max: 1.12; A min: 0.89; B max: 0.50; B min: 0.35; C max: 0.18; C min: 0.085; D max: 3.04; D min: 2.80; E bsc: 0.95; E max: 2.64; E min: 2.10; L max: 0.60; Мин. L: 0.40; Q max: 8deg; Мин. заряд: 3deg; S ref: 0.50; A1 max: 0.10; A1 min: 0.01; A2 max: 1.02; A2 min: 0.88; E1 bsc: 1.90; E1 max: 1.40; E1 min: 1.20; L1 ref: 0.64 |
| Краткое описание | Id: 2.9A; Напряжение сток-исток: 20V; Тип. заряд затвора: 3.5nC; Rds(on) при Vgs 2.5 В: 0.075ohm; RDS(on) при VGS 4,5 В: 0.057ohm |
| Тепловое сопротивление | Rthja 5s max: 145C/W; Rthja 5s typical: 120C/W; Rthja steady state max: 175C/W; Rthjf steady state max: 78C/W; Rthja steady state typical: 140C/W; Rthjf steady state typical: 62C/W |
| Информация для заказа | Lead pb free: Si2302CDS-T1-E3; Lead pb free halogen free: Si2302CDS-T1-GE3 |
| Статические характеристики | Gate body leakage igss max: +/-100nA; Прямое напряжение диода VSD, макс.: 1.2V; Diode forward voltage vsd typ: 0.7V; Forward transconductance gfs min: 13S; On state drain current id on min: 6A; Пороговое напряжение Vgs(th), макс.: 0.85V; Пороговое напряжение затвора, В: 0.40V; Drain source breakdown voltage vds min: 20V; Drain source on resistance rds on vgs 2 5v max: 0.075ohm; Drain source on resistance rds on vgs 2 5v typ: 0.056ohm; Drain source on resistance rds on vgs 4 5v max: 0.057ohm; Drain source on resistance rds on vgs 4 5v typ: 0.045ohm; Zero gate voltage drain current idss ta 25c max: 0.1uA; Zero gate voltage drain current idss ta 50c max: 4uA; Zero gate voltage drain current idss ta 70c max: 15uA |
| Динамические параметры | Сопротивление затвора Rg, макс.: 4ohm; Gate resistance rg min: 8ohm; Сопротивление затвора Rg, тип.: 2ohm; Общий заряд затвора Qg, макс.: 5.5nC; Общий заряд затвора Qg, тип.: 3.5nC; Заряд затвор-сток Qgd, тип.: 0.45nC; Заряд затвор-исток Qgs, тип.: 0.6nC |
| Предельные значения | Напряжение затвор-исток, В: +/-8V; Напряжение сток-исток, В: 20V; Импульсный ток стока: 10A; Power dissipation pd ta 25c 5s: 0.86W; Power dissipation pd ta 70c 5s: 0.55W; Continuous source current is ta 25c: 0.72A; Continuous source current is ta 70c: 0.6A; Continuous drain current id ta 25c 5s: 2.9A; Continuous drain current id ta 70c 5s: 2.3A; Power dissipation pd ta 25c steady state: 0.71W; Power dissipation pd ta 70c steady state: 0.46W; Continuous drain current id ta 25c steady state: 2.6A; Continuous drain current id ta 70c steady state: 2.1A; Рабочая температура перехода и хранения: -55 to 150C |
| Switching specifications | Время спада, макс.: 15ns; Fall time tf typ: 7ns; Rise time tr max: 15ns; Rise time tr typ: 7ns; Turn on delay time td on max: 15ns; Turn on delay time td on typ: 8ns; Время задержки выключения, макс.: 45ns; Turn off delay time td off typ: 30ns; Заряд обратного восстановления диода корпуса Qrr, макс.: 4nC; Заряд обратного восстановления диода корпуса Qrr, тип.: 2nC; Source drain reverse recovery time trr max: 15ns; Source drain reverse recovery time trr typ: 8.5ns |
Заметили ошибку в описании или параметрах?