Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.1А 1.6Вт
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
347 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт8,73 ₽
Сумма873,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии347 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 100 штюрлицам и ИП
от 219 — 7,60 ₽ (−13%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 873,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 427,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
100 шт · Склад 13 · 873,00 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный от Vishay. Работает при напряжении до 20 В, токе до 3,1 А и мощности 1,6 Вт, выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для управления нагрузкой в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | P-канальный MOSFET |
| Корпус | SOT-23 (TO-236) |
| Особенности | Halogen-free according to IEC 61249-2-21, Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC, TrenchFET Power MOSFET |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 10ns |
| Время нарастания | 35ns |
| Body diode | Прямое напряжение: -0.8V to -1.2V; Постоянный ток: -1.3A; Время обратного восстановления: 30ns typ, 50ns max; Заряд обратного восстановления: 25nC typ, 50nC max |
| Размеры | 2.80mm x 2.10mm x 1.12mm (max) |
| Заряд затвора | 3.3nC |
| Артикул | SI2301CDS-T1-GE3 |
| Без галогенов | Да |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Код маркировки | N1 |
| Сопротивление во включённом состоянии | At vgs 2.5V: 0.142Ω max; At vgs 4.5V: 0.112Ω max |
| Соотв. RoHS | Да |
| Сопротивление затвора | 6Ω |
| Время переключения | Время спада: 10ns typ, 20ns max; Время нарастания: 35ns typ, 60ns max; Задержка включения: 11ns typ, 20ns max; Задержка выключения: 30ns typ, 50ns max |
| Заряд сток-затвор | 1.3nC |
| Вх. емкость | 405pF |
| Рассеиваемая мощность | 1.6W |
| Пороговое напряжение | -0.4V to -1V |
| Полный заряд затвора | At vgs 2.5V: 3.3nC typ, 6nC max; At vgs 4.5V: 5.5nC typ, 10nC max |
| Заряд затвор-исток | 0.7nC |
| Выходная емкость | 75pF |
| Тепловое сопротивление | Junction to foot: 62°C/W typ, 78°C/W max; Junction to ambient: 120°C/W typ, 145°C/W max |
| Время задержки включения | 11ns |
| Ток утечки затвор-исток | ±100nA |
| Напряжение затвор-исток | ±8V |
| Сопротивление во включенном состоянии | 0.112Ω at VGS=-4.5V, 0.142Ω at VGS=-2.5V |
| Время задержки выключения | 30ns |
| Напряжение сток-исток | -20V |
| Импульсный ток стока | -10A |
| Пороговое напряжение затвора | -0.4V to -1V |
| Ток стока во включенном состоянии | -6A |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Непрерывный ток стока | -3.1A |
| Прямая крутизна | 9.5S |
| Gate source voltage range | ±8V |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Прямое напряжение диода тела | -0.8V to -1.2V |
| Диап. раб. темп. | -55°C to 150°C |
| Обратная проходная емкость | 55pF |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 |
| Ток стока при нулевом напряжении затвора | -1µA max |
| Время обратного восстановления диода | 30ns |
| Заряд обратного восстановления диода | 25nC |
| Тепловое сопротивление переход-основание | 78°C/W (max) |
| Термосопротивление переход-среда | 145°C/W (max) |
Заметили ошибку в описании или параметрах?