Документация
Транзисторы и сборки MOSFET SI2301BDS-T1-E3
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
5 836 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 39срок до недели
Цена за шт41,40 ₽
Сумма621,00 ₽
В наличии2 850 шт
от 15 штюрлицам и ИП
от 95 — 37,52 ₽ (−9%)
Склад 13срок до недели
Цена за шт—
Сумма—
В наличии2 986 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 25 штюрлицам и ИП
продаётся от 25 штпри 25 — 32,27 ₽
15 шт · Склад 39 · 621,00 ₽
Описание
Транзистор MOSFET SI2301BDS-T1-E3 производства Vishay представляет собой P-канальный полевой транзистор в компактном корпусе SOT-23. Компонент оптимизирован для коммутации нагрузок и управления питанием в портативной электронике. Отличается низким сопротивлением открытого канала и малым пороговым напряжением, что обеспечивает эффективную работу при пониженном энергопотреблении.
Технические характеристики
| Тип | P-канальный MOSFET |
| Тип | MOSFET |
| Корпус | SOT-23 (TO-236) |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 20ns |
| Время нарастания | 40ns |
| Технология | TrenchFET |
| Артикул | SI2301BDS-T1-E3 |
| Без галогенов | Да |
| Код маркировки | Si2301 BDS (L1) |
| Макс. время спада | 30ns |
| Макс. время нарастания | 60ns |
| Соотв. RoHS | Да |
| Ток утечки затвор-подложка | ±100nA |
| Заряд сток-затвор | 1.1nC |
| Вх. емкость | 375pF |
| Полный заряд затвора | 4.5nC |
| Заряд затвор-исток | 0.7nC |
| Выходная емкость | 95pF |
| Время задержки включения | 20ns |
| Сопротивление затвора, макс. | 16Ω |
| Сопротивление затвора, мин. | 2Ω |
| Тип. сопротивление затвора | 8Ω |
| Напряжение затвор-исток | ±8V |
| Время задержки выключения | 30ns |
| Напряжение сток-исток | -20V |
| Импульсный ток стока | -10A |
| Напряжение, В | -20 В |
| Напр. диода | -0.80V |
| Мощн. рас. 25°C | 0.9W |
| Рассеиваемая мощность при 70 °C | 0.57W |
| Заряд затвора макс. | 10nC |
| Время вкл. макс. | 30ns |
| Макс. время выключения | 45ns |
| Прямая крутизна | 6.5S |
| Напр. диода макс. | -1.2V |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -0.95V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -0.45V |
| Длительный ток стока 25°C | -2.4A |
| Непрерывный ток стока, 70 °C | -1.9A |
| Обратная проходная емкость | 65pF |
| Continuous source current 25c | -0.72A |
| Continuous source current 70c | -0.6A |
| Напряжение пробоя сток-исток | -20V |
| On state drain current vgs 2 5v | -3A |
| On state drain current vgs 4 5v | -6A |
| Ток стока при нулевом напряжении затвора | -1µA |
| Ток стока при нулевом напряжении затвора, 55 °C | -10µA |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 145°C/W |
| Drain source on state resistance vgs 2 5v max | 0.150Ω |
| Drain source on state resistance vgs 2 5v typ | 0.110Ω |
| Drain source on state resistance vgs 4 5v max | 0.100Ω |
| Drain source on state resistance vgs 4 5v typ | 0.080Ω |
| Тип. тепловое сопротивление переход-среда | 120°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient mounted max | 175°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient mounted typical | 140°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?