Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.5A 120мОм
У поставщика
ПроизводительUMW-Youtai
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
2 030 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 030 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 274 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2,52 |
| от 138 | 2,22 |
| от 214 | 1,96 |
| от 428 | 1,79 |
| от 855 | 1,67 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный от UMW-Youtai. Работает при напряжении до 20 В, выдерживает ток до 2,5 А, сопротивление открытого канала — 120 мОм. Выпускается в компактном корпусе SOT23-3. Подходит для управления нагрузкой и коммутации в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | P-Channel MOSFET |
| Маркировка | 2301 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 10ns (typ), 20ns (max) |
| Время нарастания | 35ns (typ), 60ns (max) |
| Размеры | A: 0.900-1.150mm; B: 0.300-0.500mm; C: 0.080-0.150mm; D: 2.800-3.000mm; E: 1.200-1.400mm; L: 0.550mm (ref); A1: 0.000-0.100mm; A2: 0.900-1.050mm; E1: 2.250-2.550mm; L1: 0.300-0.500mm; Theta: 0°-8°; E pitch: 0.950mm (typ); E1 pitch: 1.800-2.000mm |
| Применение | Load Switch for Portable Devices, DC/DC Converter |
| Gate resistance | 6.0Ω |
| Заряд сток-затвор | 1.3nC |
| Вх. емкость | 405pF |
| Полный заряд затвора | 3.3nC (typ), 6nC (max) |
| Body diode voltage | -0.8V (typ), -1.2V (max) |
| Заряд затвор-исток | 0.7nC |
| Выходная емкость | 75pF |
| Время задержки включения | 11ns (typ), 20ns (max) |
| Gate source leakage | ±100nA |
| Напряжение затвор-исток | ±8V |
| Время задержки выключения | 30ns (typ), 50ns (max) |
| Напряжение сток-исток | -20V |
| Темп. перехода | 150°C |
| Импульсный ток стока | -10A |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Continuous drain current | -2.5A |
| Прямая крутизна | 4.0S |
| Maximum power dissipation | 0.35W |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Обратная проходная емкость | 55pF |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 20V 2.5A 120 mOhm |
| Напряжение пробоя сток-исток | -20V |
| Zero gate voltage drain current | -1µA |
| Gate source threshold voltage max | -1V |
| Gate source threshold voltage min | -0.4V |
| Continuous source drain diode current | -0.72A |
| Термосопротивление переход-среда | 357°C/W |
| Drain source on state resistance at 2.5v | 0.120Ω (typ), 0.150Ω (max) |
| Drain source on state resistance at 4.5v | 0.095Ω (typ), 0.120Ω (max) |
Заметили ошибку в описании или параметрах?