Документация
SI2301A, [SOT-23]; 20V 2.8A 400mW 142mR@2.5V,2A 1V@250A P Channel MOSFETs ROHS;=NDS332P(ON);=SI2301D
У поставщика
ПроизводительUMW
У поставщиков
1 200 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:1 200 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 10000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 3,11 |
| от 1 000 | 2,07 |
| от 10 000 | 1,91 |
Описание
SI2301A от UMW — P-канальный MOSFET в корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Выдерживает напряжение до 20 В и ток до 2,8 А, сопротивление открытого канала 142 мОм при 2,5 В. Подходит для коммутации нагрузок в компактных блоках питания и портативной электронике.
Технические характеристики
| Тип | P-Channel MOSFET |
| Маркировка | A01 |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 20ns |
| Время нарастания | 60ns |
| Артикул | SI2301A |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Base quantity | 3000 |
| Способ поставки | Tape and reel |
| Код заказа | UMW SI2301A |
| Gate resistance | 6Ω |
| Dimensions A max | 1.150mm |
| Dimensions A min | 0.900mm |
| Dimensions D max | 3.000mm |
| Dimensions D min | 2.800mm |
| Dimensions E max | 1.400mm |
| Dimensions E min | 1.200mm |
| Dimensions L ref | 0.550mm |
| Размеры b макс. | 0.500mm |
| Размер B мин. | 0.300mm |
| Размеры c макс. | 0.150mm |
| Размер C мин. | 0.080mm |
| Dimensions e typ | 0.950mm |
| Описание | MOSFETs P-Ch -20Vds -2.8A 8Vgs -10A 1.0W |
| Dimensions A1 max | 0.100mm |
| Dimensions A1 min | 0.000mm |
| Dimensions A2 max | 1.050mm |
| Dimensions A2 min | 0.900mm |
| Dimensions E1 max | 2.550mm |
| Dimensions E1 min | 2.250mm |
| Dimensions L1 max | 0.500mm |
| Dimensions L1 min | 0.300mm |
| Размер E1 макс | 2.000mm |
| Размер E1 мин | 1.800mm |
| Заряд сток-затвор | 1.3nC |
| Вх. емкость | 405pF |
| Полный заряд затвора | 6nC |
| Заряд затвор-исток | 0.7nC |
| Выходная емкость | 75pF |
| Время задержки включения | 20ns |
| Структура | P-канал |
| Время задержки выключения | 50ns |
| Угол наклона выводов макс | 8° |
| Угол наклона выводов мин | 0° |
| Импульсный ток стока | -12A |
| Макс. рассеиваемая мощность | 0.4W |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±12V |
| Body diode pulse current | -10A |
| Continuous drain current | -2.8A |
| Макс. напряжение сток-исток | -20V |
| Прямая крутизна | 6.5S |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Диап. темп. хр. | -55~+150°C |
| Body diode forward voltage | -1.2V |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -1V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -0.4V |
| Gate source leakage current | ±100nA |
| Обратная проходная емкость | 55pF |
| Напряжение пробоя сток-исток | -20V |
| Drain source on resistance 2 5v | 110mΩ |
| Drain source on resistance 4 5v | 85mΩ |
| Zero gate voltage drain current | -1µA |
| Body diode forward current continuous | -1.3A |
| Continuous source drain diode current | -0.72A |
| Термосопротивление переход-среда | 125°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.8 |
| Мощность, Вт | 1 |
| Напряжение, В | -20 |
| Ток, А | -2,8 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?