+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В

Транзисторы и сборки MOSFET SI2300DS-T1-GE3-VB

Артикул:326418
У поставщика
ПроизводительVBSEMI
У поставщиков
5 362 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:5 362 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 16,28
от 6415,23
от 1 0684,64
от 1 7814,18
от 2 9683,86
Описание

SI2300DS-T1-GE3-VB — полевой MOSFET-транзистор производства VBSEMI, предназначенный для поверхностного монтажа. Компонент отличается низким сопротивлением открытого канала, что обеспечивает высокую эффективность при коммутации. Применяется в схемах управления питанием, DC-DC преобразователях и портативной электронике.

Технические характеристики
ТипMOSFET
Ток, А3.6 А
КорпусSOT-23
МонтажSMD
Мощность1.4 Вт
Напряжение, В30 В

Заметили ошибку в описании или параметрах?