Документация
Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 50A 235Вт
У поставщика
ПроизводительSILAN
У поставщиков
1 862 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:1 384 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 122,05 |
| от 33 | 114,40 |
| от 55 | 110,16 |
| от 92 | 106,77 |
| от 155 | 104,01 |
Склад 13
В наличии:478 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 142,50 |
| от 17 | 132,93 |
| от 30 | 125,12 |
| от 90 | 119,31 |
| от 150 | 114,98 |
Описание
Транзистор IGBT SGT50T65FD1PN от SILAN — мощный биполярный ключ с изолированным затвором. Рассчитан на напряжение 650 В, ток 50 А и рассеиваемую мощность 235 Вт, выпускается в корпусе TO-3P. Благодаря технологии Field Stop (FS) обеспечивает низкие потери при переключении. Подходит для импульсных источников питания, сварочных инверторов и силовой промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Корпус | TO-3P |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 130ns |
| Время нарастания | 145ns |
| Технология | Field Stop IV IGBT |
| Описание | 50A, 650V Field Stop IGBT with fast recovery diode |
| Gate charge | 145nC |
| Артикул | SGT50T65FD1PN |
| Diode current | 25A |
| Вх. емкость | 4532pF |
| Выходная емкость | 90pF |
| Время задержки включения | 45ns |
| Gate emitter charge | 48nC |
| Темп. хранения | -55°C~+150°C |
| Время задержки выключения | 125ns |
| Gate emitter voltage | ±20V |
| Total switching loss | 3.8mJ |
| Gate collector charge | 46nC |
| Recommended frequency | 10~60KHz |
| Power dissipation tc25 | 235W |
| Turn on switching loss | 2.8mJ |
| Turn off switching loss | 1.0mJ |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Pulsed collector current | 150A |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 650V |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 6.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 4.0V |
| Тип. пороговое Uзи | 5.0V |
| Diode reverse recovery time | 33ns |
| Gate emitter leakage current | ±400nA |
| Обратная проходная емкость | 41pF |
| Описание (англ.) | 235W 100A 650V FS (Field Stop) TO-3P-3 Single IGBT |
| Diode reverse recovery charge | 65nC |
| Diode forward voltage typ tc25 | 1.95V |
| Рабочая температура перехода | -55°C~+150°C |
| Transient gate emitter voltage | ±30V |
| Diode forward voltage typ tc125 | 1.7V |
| Collector emitter leakage current | 200µA |
| Continuous collector current tc25 | 100A |
| Continuous collector current tc100 | 50A |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 650V |
| Thermal resistance junction case frd | 1.48°C/W |
| Thermal resistance junction case igbt | 0.53°C/W |
| Collector emitter saturation voltage max tc25 | 2.6V |
| Collector emitter saturation voltage typ tc25 | 2.2V |
| Collector emitter saturation voltage typ tc125 | 2.4V |
| Напряжение, В | 650 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?