Документация
Инфракрасный светодиод 5,7х7,4мм 850нм 350мВт/стерадиан при 100мА 1,7В непрозрачный 10°
У поставщика
Производительams-Osram
У поставщиков
878 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:878 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 28 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 26,50 |
| от 26 | 25,59 |
| от 51 | 24,33 |
| от 102 | 22,62 |
| от 203 | 20,82 |
Описание
Инфракрасный светодиод от AMS OSRAM с длиной волны 850 нм. Излучает 350 мВт/стерадиан при токе 100 мА и напряжении 1,7 В, угол излучения — 10°. Компонент выполнен в компактном непрозрачном корпусе для поверхностного монтажа. Применяется в системах видеонаблюдения, датчиках движения и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Вес | 240.0mg |
| Корпус | SMR (Surface Mount Radial) |
| Тип монтажа | THT |
| Время спада | 12ns |
| Форма вывода | straight leads |
| Уровень MSL | 3 |
| Время нарастания | 12ns |
| Размеры | 4.5mm x 7.7mm x 8.4mm |
| Half angle | 10° |
| Пиковая длина волны | 860nm |
| Active chip area | 0.3mm x 0.3mm |
| Материал корпуса | black epoxy |
| Brightness groups | BW, CW, DW |
| Surge current max | 1A |
| Спектральная ширина | 30nm |
| Total radiant flux | 80mW |
| Centroid wavelength | 850nm |
| Макс. прямой ток | 100mA |
| Макс. прямое напряжение | 2V |
| Типовое прямое напряжение | 1.7V |
| Макс. обратный ток | 10µA |
| Макс. обратное напряжение | 12V |
| Напряжение ЭСР | 2kV |
| Макс. потребление | 200mW |
| Radiant intensity max | 800mW/sr |
| Radiant intensity min | 160mW/sr |
| Radiant intensity typ | 350mW/sr |
| Макс. темп. хр. | 85°C |
| Мин. темп. хр. | -40°C |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Forward voltage pulse max | 4.6V |
| Forward voltage pulse typ | 3.6V |
| Макс. раб. темп. | 85°C |
| Мин. раб. темп. | -40°C |
| Описание (англ.) | Radial SMR Infrared Emitter 850nm 350mW/sr Surface Mount Radial 2-Pin black epoxy |
| Temperature coefficient voltage | -0.6mV/K |
| Пиковая температура оплавления | 260°C |
| Temperature coefficient brightness | -0.3%/K |
| Temperature coefficient wavelength | 0.3nm/K |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 430K/W |
| Thermal resistance junction solder point | 240K/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?