+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
Документация

Фототранзистор smd 3,4х3мм/750-1120нм/Ipce=0.016-0.08mA/60°

Артикул:774539
У поставщика
Производительams-Osram
У поставщиков
531 шт.
Норм. уп.: 2000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:531 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2000
Минимальная партия: 30 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 124,15
от 2823,28
от 5622,07
от 11120,46
от 22218,81
Описание

Фототранзистор SMD от AMS-OSRAM в компактном корпусе PLCC2 размером 3,4х3 мм. Работает в спектральном диапазоне 750–1120 нм с пиком чувствительности 880 нм, выходной ток от 0,016 до 0,08 мА при угле обзора 60°. Подходит для оптопар, датчиков приближения и детекторов в промышленной автоматике.

Технические характеристики
MSLLevel 2
Дата2015-12-08
Вес35mg
КорпусPLCC2
Версия1.4
Тип монтажаSMD
Chip area0.45x0.45mm
КомпонентSFH 320 FA
Размер катушки180mm
ПайкаReflow
Размеры3.4x3.0x2.1mm
Half angle±60°
Ёмкость5pF
ОписаниеSilicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED Package
Код заказаQ65110A2472
Количество в катушке2000pcs
Spectral range750-1120nm
Reel size large330mm
Dark current max50nA
Dark current typ1nA
Ток коллектора15mA
Photocurrent range16-80µA
Тепловое сопротивление450K/W
Reel quantity large8000pcs
Темп. хранения-40 to 100°C
Photocurrent group 216-32µA
Photocurrent group 325-50µA
Photocurrent group 440-80µA
ПримечаниеQ65110-A2472
Напряжение ЭСР2000V
Раб. температура-40 to 100°C
Ordering code group 3Q65110A2470
Ordering code group 4Q65110A1836
Photocurrent group 3 425-80µA
Radiant sensitive area0.038mm2
Rise fall time group 26µs
Rise fall time group 37µs
Rise fall time group 48µs
Collector surge current75mA
Ordering code group 3 4Q65110A2475
Общая рассеиваемая мощность165mW
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Напряжение коллектор-эмиттер35V
Wavelength max sensitivity980nm
Описание (англ.)Phototransistor Chip Silicon 880nm 2-Pin PLCC
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер150mV

Заметили ошибку в описании или параметрах?