Документация
Фототранзистор 5мм/NPN/740-1080нм/Ipce=0.63mA/40°
У поставщика
Производительams-Osram
У поставщиков
439 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:439 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 18 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 39,30 |
| от 18 | 38,20 |
| от 35 | 36,69 |
| от 70 | 34,45 |
| от 140 | 31,89 |
Описание
Фототранзистор SFH 314 FA от AMS-OSRAM выполнен в стандартном 5-миллиметровом корпусе T1 3/4. Чувствителен к инфракрасному излучению в диапазоне 740–1080 нм с пиком на 870 нм, обеспечивает ток коллектора до 0.63 мА при угле обзора 40°. Подходит для детекции ИК-сигналов в системах управления, датчиках приближения и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Корпус | T1 3/4 (5mm) |
| Тип монтажа | THT |
| Размеры | Высота корпуса: 6.9mm max; Длина вывода: 29.5mm max; Диаметр корпуса: 5.9mm max; Диаметр вывода: 0.6mm max |
| Half angle | 40deg |
| Описание | Silicon NPN Phototransistor, Radial T1 3/4 |
| Тип. время спада | 11us |
| Тип. время нарастания | 11us |
| Название компонента | SFH 314 FA |
| Capacitance typ | 10pF |
| Chip dimensions | 1x1mm |
| Маркировка корпуса | Collector |
| Dark current max | 200nA |
| Dark current typ | 3nA |
| Approximate weight | 278.0mg |
| Примечание | Q62702P1675 |
| Макс. ток коллектора | 50mA |
| Radiant sensitive area | 0.55mm^2 |
| Макс. темп. хр. | 100C |
| Мин. темп. хр. | -40C |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
| Ordering code sfh 314 fa | Q62702P1675 |
| Photocurrent group 1 max | 1250uA |
| Photocurrent group 1 min | 630uA |
| Photocurrent group 2 max | 2000uA |
| Photocurrent group 2 min | 1000uA |
| Photocurrent group 3 max | 3200uA |
| Photocurrent group 3 min | 1600uA |
| Photocurrent group 4 max | 5000uA |
| Photocurrent group 4 min | 2500uA |
| Esd withstand voltage max | 2kV |
| Макс. раб. темп. | 100C |
| Мин. раб. темп. | -40C |
| Collector surge current max | 100mA |
| Макс. общая рассеиваемая мощность | 200mW |
| Ordering code sfh 314 fa 2 3 | Q62702P3599 |
| Описание (англ.) | Phototransistor IR Chip Silicon 870nm 2-Pin T-1 3/4 |
| Макс. напр. К-Э | 70V |
| Макс. Uэк | 7V |
| Spectral range of sensitivity | 740...1080nm |
| Wavelength of max sensitivity | 870nm |
| Тип. напряжение насыщения К-Э | 150mV |
| Thermal resistance junction ambient real max | 375K/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?