Документация
NPN кремниевый фототранзистор 5мм/740-1080нм/10°
У поставщика
Производительams-Osram
У поставщиков
3 607 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:3 607 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 16 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 44,63 |
| от 48 | 40,87 |
| от 96 | 37,80 |
| от 191 | 35,48 |
| от 381 | 33,75 |
Описание
NPN кремниевый фототранзистор от AMS-OSRAM в стандартном 5-миллиметровом корпусе T1 3/4. Работает в инфракрасном диапазоне 740–1080 нм с узким углом обзора 10°. Применяется в оптических датчиках, системах промышленной автоматики и детекторах приближения.
Технические характеристики
| Тип | SFH 313 FA |
| Grouping | Group1: 2500..5000µA; Group2: 4000..8000µA; Group3: 6300..12500µA; Group4: 10000..20000µA |
| Тип монтажа | THT |
| Размеры | Высота корпуса: 5.7mm; Длина вывода: 29mm; Расстояние между выводами: 2.54mm; Диаметр корпуса: 5mm |
| Half angle | 10° |
| Описание | NPN Silicon Phototransistor |
| Тип упаковки | Radial T1 3/4 |
| Корпус | T1 3/4 (5mm) |
| Тип. время спада | 13µs |
| Тип. время нарастания | 13µs |
| Spectral range | 740..1080nm |
| Capacitance typ | 10pF |
| Chip dimensions | 1x1mm |
| Dark current max | 200nA |
| Dark current typ | 3nA |
| Материал корпуса | black epoxy |
| Photocurrent range | 2500..20000µA |
| Темп. хранения | -40..100°C |
| Примечание | Q62702-P1674 |
| Макс. ток коллектора | 50mA |
| Напряжение ЭСР | 2kV |
| Раб. температура | -40..100°C |
| Radiant sensitive area | 0.55mm² |
| Photocurrent conditions | V_CE=5V, λ=950nm, E_e=0.5mW/cm² |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
| Wavelength max sensitivity | 870nm |
| Collector surge current max | 100mA |
| Макс. общая рассеиваемая мощность | 200mW |
| Описание (англ.) | Phototransistor IR Chip Silicon 870nm 2-Pin T-1 3/4 |
| Макс. напр. К-Э | 70V |
| Макс. Uэк | 7V |
| Thermal resistance junction ambient max | 380K/W |
| Тип. напряжение насыщения К-Э | 150mV |
Заметили ошибку в описании или параметрах?