+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
SFH 309 FA
Документация

NPN кремниевый фототранзистор 3мм/730-1120нм/ Ipce=0.4-5mA/ ± 20/12°

Артикул:775076
У поставщика
Производительams-Osram
У поставщиков
3 308 шт.
Норм. уп.: 2000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:3 308 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2000
Минимальная партия: 20 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 136,24
от 9533,35
от 18931,06
от 37829,07
от 75527,74
Описание

NPN кремниевый фототранзистор от AMS-OSRAM в корпусе T1 (3 мм). Работает в диапазоне длин волн 730–1120 нм с током коллектора 0,4–5 мА и углом обзора ±20°. Применяется в инфракрасных датчиках, детекторах и системах промышленной автоматики.

Технические характеристики
ТипNPN Phototransistor
КорпусT1 (3mm)
Тип монтажаTHT
Chip area0.45 x 0.45 mm
КомпонентSFH 309 FA
Без свинцаДа
Кол-во выводов2
Размеры3.9 x 4.5 x 6.3 mm
Half angle±12°
Ёмкость5.0pF
ОписаниеNPN Silicon Phototransistor, 3mm plastic package, 730-1120nm
Dark current1nA (max 200nA)
Ordering codesSFH 309 FA: Q62702-P0941; SFH 309 FA-4: Q62702-P0178; SFH 309 FA-5: Q62702-P0180; SFH 309 FA-3/4: Q62702-P3590; SFH 309 FA-4/5: Q62702-P3591; SFH 309 FA-5/6: Q62702-P5199
Rise fall time5-9µs
Соотв. RoHSДа
Spectral range730-1120nm
Ток коллектора15mA
Photocurrent range0.4-5mA
Тепловое сопротивление450 K/W
Photocurrent group 30.4-0.8mA
Photocurrent group 40.63-1.25mA
Photocurrent group 51.0-2.0mA
Photocurrent group 61.6-3.2mA
Photocurrent group 72.5-5.0mA
ПримечаниеQ62702-P0941
Distance chip to case2.4-2.8mm
Radiant sensitive area0.038mm²
Collector surge current75mA
Общая рассеиваемая мощность165mW
Тип упаковкиBulk (россыпь)
Напряжение коллектор-эмиттер35V
Диап. темп. хр.-40 to +100 °C
Wavelength max sensitivity900nm
Диап. раб. темп.-40 to +100 °C
Описание (англ.)Phototransistor IR Chip Silicon 900nm 2-Pin T-1
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер200mV

Заметили ошибку в описании или параметрах?