Документация
NPN кремниевый фототранзистор 3мм/730-1120нм/ Ipce=0.4-5mA/ ± 20/12°
У поставщика
ПроизводительAMS-OSRAM
У поставщиков
3 587 шт.
Норм. уп.: 2000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:3 587 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2000
Минимальная партия: 22 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 32,91 |
| от 102 | 30,25 |
| от 204 | 28,12 |
| от 407 | 26,28 |
| от 814 | 25,04 |
Описание
NPN кремниевый фототранзистор от AMS-OSRAM в корпусе T1 (3 мм). Работает в диапазоне длин волн 730–1120 нм с током коллектора 0,4–5 мА и углом обзора ±20°. Применяется в инфракрасных датчиках, детекторах и системах промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Корпус | T1 (3mm) |
| Примечание | Q62702-P0941 |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
| Описание (англ.) | Phototransistor IR Chip Silicon 900nm 2-Pin T-1 |