+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
SFH 309-5
Документация

NPN кремниевый фототранзистор 3мм/380-1150нм/ Ipce=1.6-3.2mA/ ± 20/12°

Артикул:827592
У поставщика
Производительams-Osram
У поставщиков
606 шт.
Норм. уп.: 2000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:606 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2000
Минимальная партия: 46 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 115,03
от 4514,29
от 8913,34
от 17812,20
от 35511,17
Описание

SFH 309-5 — это NPN кремниевый фототранзистор от AMS-OSRAM. Компонент выполнен в стандартном корпусе T1 (3 мм) и чувствителен к свету в диапазоне 380–1150 нм с пиком на 860 нм. Угол обзора составляет ±20°, а выходной ток — от 1.6 до 3.2 мА. Подходит для детекции света в промышленной автоматике и бытовой электронике.

Технические характеристики
Дата2016-01-04
Вес0.2g
КорпусT1 (3mm)
Версия1.3
Тип монтажаTHT
Chip area0.45x0.45mm
КомпонентSFH 309-5
Размеры3.9x4.5mm
Half angle±12°
Ёмкость5pF
ОписаниеSilicon NPN Phototransistor
Код заказаQ62702P0999
Rise fall time8µs
Spectral range380-1150nm
Dark current max50nA
Dark current typ1nA
Photocurrent max3200µA
Photocurrent min1600µA
Photocurrent typ7200µA
Ток коллектора15mA
Тепловое сопротивление450K/W
Темп. хранения-40 to 100°C
ПримечаниеQ62702-P999
Напряжение ЭСР2000V
Раб. температура-40 to 100°C
Radiant sensitive area0.038mm2
Collector surge current75mA
Общая рассеиваемая мощность165mW
Тип упаковкиBulk (россыпь)
Напряжение коллектор-эмиттер35V
Wavelength max sensitivity860nm
Описание (англ.)Phototransistor Chip Silicon 860nm 2-Pin T-1
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер200mV

Заметили ошибку в описании или параметрах?